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1. (WO2006084143) WAFER-SCANNING ION IMPLANTER HAVING FAST BEAM DEFLECTION APPARATUS FOR BEAM GLITCH RECOVERY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/084143    International Application No.:    PCT/US2006/003863
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 03.02.2006
IPC:
H01J 37/317 (2006.01), H01J 37/147 (2006.01), H01J 37/304 (2006.01)
Applicants: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, Massachusetts 01930 (US) (For All Designated States Except US).
LOW, Russell J. [GB/US]; (US) (For US Only).
ANGEL, Gordon C. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LOW, Russell J.; (US).
ANGEL, Gordon C.; (US)
Agent: SUPERKO, Mark, A.; Varian Semiconductor Equipment, Associates, Inc, 35 Dory Road, Gloucester, Massachusetts 01930 (US)
Priority Data:
11/051,018 04.02.2005 US
Title (EN) WAFER-SCANNING ION IMPLANTER HAVING FAST BEAM DEFLECTION APPARATUS FOR BEAM GLITCH RECOVERY
(FR) IMPLANTEUR IONIQUE A BALAYAGE DE PLAQUETTES A APPAREIL DE DEFLEXION DE FAISCEAU RAPIDE POUR RECUPERATION DE L'IMPULSION TRANSITOIRE D'UN FAISCEAU
Abstract: front page image
(EN)An analyzer module of an ion implanter includes beam deflection apparatus adjacent to a resolving opening from which a terminal ion beam portion of an ion beam emanates. In response to a beam deflection voltage of a first value of substantially zero volts in a first operating condition, the beam deflection apparatus directs a source ion beam portion of the ion beam toward the resolving opening to generate the terminal ion beam portion. When the beam deflection voltage has a high second value in a second operating condition, the beam deflection apparatus directs the species of the source ion beam portion away from the resolving opening such that the terminal ion beam portion is substantially extinguished. Beam control circuitry is operative during the second operating condition to transition the ion implanter to the first operating condition by rapidly switching the beam deflection voltage from the second value to the first value. An implantation method employs the features of the implanter to recover from glitches during implantation and thereby improve the yield of implanted wafers.
(FR)Module d'analyse d'un implanteur ionique qui comprend un appareil de déflexion de faisceau adjacent à une ouverture de résolution à partir de laquelle la partie de faisceau ionique terminale d'un faisceau ionique émane. En réponse à une tension de déflexion de faisceau d'une première valeur de volts sensiblement nuls dans une première condition de fonctionnement, l'appareil de déflexion de faisceau oriente une partie du faisceau ionique de source vers l'ouverture de résolution afin de générer une partie de faisceau ionique terminale. Lorsque la tension de déflexion du faisceau possède une seconde valeur élevée dans une seconde condition de fonctionnement, l'appareil de déflexion de faisceau oriente la partie de faisceau ionique de source en l'éloignant de l'ouverture de résolution, de telle sorte que la partie de faisceau ionique terminale soit considérablement éteinte. Un ensemble de circuits de commande de faisceau fonctionne pendant la seconde condition de fonctionnement afin de faire passer l'implanteur d'ion en première condition de fonctionnement par une commutation rapide de la tension de déflexion du faisceau à partir de la seconde valeur pour arriver à la première valeur. Un procédé d'implantation utilise les caractéristiques de l'implanteur pour se récupérer à partir des impulsions transitoires pendant l'implantation et améliorer, ainsi, le rendement de plaquettes implantées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)