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1. (WO2006083929) A PHYSICAL VAPOR DEPOSITION PLASMA REACTOR WITH RF SOURCE POWER APPLIED TO THE TARGET
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/083929    International Application No.:    PCT/US2006/003495
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 30.01.2006
IPC:
C23C 14/35 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: BROWN, Karl, M.; (US).
PIPITONE, John; (US).
MEHTA, Vineet; (US)
Agent: WALLACE, Robert, M.; Lal Office of Robert M. Wallace, 2112 Eastman Avenue, Suite 102, Ventura, CA 93003 (US)
Priority Data:
11/052,011 03.02.2005 US
11/222,245 07.09.2005 US
Title (EN) A PHYSICAL VAPOR DEPOSITION PLASMA REACTOR WITH RF SOURCE POWER APPLIED TO THE TARGET
(FR) REACTEUR DE DEPOT PHYSIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA A PUISSANCE DE SOURCE R.F. APPLIQUEE SUR UNE CIBLE PLASMA
Abstract: front page image
(EN)A physical vapor deposition reactor includes a vacuum chamber (10) including a sidewall, a ceiling and a wafer support pedestal (14 near a floor of the chamber, a vacuum pump (30) coupled to the chamber, a process gas inlet (26) coupled to the chamber and a process gas source (28) coupled to the process gas inlet. A metal sputter target (18) is located at the ceiling and a high voltage D.C. source (24) coupled to the sputter target (18). An RF plasma source power generator (88) is coupled to the metal sputter target (18) and has a frequency suitable for exciting kinetic electrons. Preferably, the wafer support pedestal (14) comprises an electrostatic chuck and an RF plasma bias power (38) generator is coupled to the wafer support pedestal (14) having a frequency suitable for coupling energy to plasma ions. Preferably, a solid metal RF feed rod (86) having a diameter in excess of about 0.5 inches engages the metal sputter target (18), the RF feed rod (86) extending axially above the target (18) through the ceiling and being coupled to the RF plasma source power generator (88).
(FR)L'invention concerne un réacteur de dépôt physique en phase vapeur comprenant une chambre à vide formée d'une paroi latérale, d'un plafond et d'un piédestal support de tranche placé à proximité d'un plancher de la chambre, une pompe à vide couplée à ladite chambre, une entrée de gaz de processus également couplée à la chambre et une source de gaz de processus couplée à l'entrée de gaz de processus. Une cible de pulvérisation métallique est disposée au niveau du plafond et une source de courant continu haute tension est couplée à cette cible de pulvérisation. Un générateur de puissance de source de plasma R.F. est couplé à la cible de pulvérisation métallique et possède une fréquence appropriée pour exciter des électrons cinétiques. Le piédestal support de tranche comprend, de préférence, un mandrin électrostatique et un générateur de courant de polarisation de plasma R.F. couplé audit piédestal support de tranche qui possède une fréquence appropriée pour coupler l'énergie et les ions de plasma. Une tige d'alimentation R.F. en métal solide présentant un diamètre excédentaire d'environ 0,5 pouce coopère avec la cible de pulvérisation métallique, ladite tige d'alimentation s'étendant axialement au-dessus de la cible à travers le plafond et étant couplée au générateur de puissance R.F. de source de plasma.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)