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1. (WO2006083778) SELECTIVE PLASMA RE-OXIDATION PROCESS USING PULSED RF SOURCE POWER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/083778    International Application No.:    PCT/US2006/003250
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 30.01.2006
IPC:
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, CA 95054 (US) (For All Designated States Except US)
Inventors: CHUA, Thai Cheng; (US)
Agent: WALLACE, Robert, M.; Law Office of Robert M. Wallace, 2112 Eastman Avnue, Suite 102, Ventura, CA 93003 (US)
Priority Data:
11/050,471 02.02.2005 US
Title (EN) SELECTIVE PLASMA RE-OXIDATION PROCESS USING PULSED RF SOURCE POWER
(FR) PROCEDE DE RE-OXYDATION SELECTIVE AU PLASMA AU MOYEN D'UNE ENERGIE FOURNIE PAR UNE SOURCE RF PULSEE
Abstract: front page image
(EN)A transistor gate selective re-oxidation process includes the steps of introducing into the vacuum chamber containing the semiconductor substrate a process gas that includes oxygen while maintaining a vacuum pressure in the chamber. An oxide insulating layer on the order of several Angstroms in thickness is formed by generating a plasma in a plasma generation region within the vacuum chamber during successive 'on' times, and allowing ion energy of the plasma to decay during successive 'off' intervals separating the successive 'on' intervals, the 'on' and 'off' intervals defining a controllable duty cycle. During formation of the oxide insulating layer, the duty cycle is limited so as to limit formation of ion bombardment-induced defects in the insulating layer, while the vacuum pressure is limited so as to limit formation of contamination-induced defects in the insulating layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de ré-oxydation sélective d'une grille de transistor, comprenant les étapes suivantes : introduction, dans la chambre à vide contenant le substrat semi-conducteur, d'un gaz de traitement comprenant de l'oxygène, tout en maintenant une pression à vide dans la chambre. Une couche d'oxyde isolante, d'une épaisseur de l'ordre de plusieurs angströms, est formée en générant un plasma dans une région de génération de plasma à l'intérieur de ladite chambre, durant des périodes « marche » successives, et en laissant décroître l'énergie ionique du plasma durant des intervalles « arrêt » successifs séparant lesdits intervalles « marche » successifs, les intervalles « arrêt » et « marche » définissant un cycle d'utilisation contrôlable. Durant la formation de la couche isolante d'oxyde, le cycle d'utilisation est limité de manière à limiter la formation de défauts dus à un bombardement ionique dans la couche isolante, cependant que la pression à vide est limitée de manière à limiter la formation de défauts dus à une contamination dans la couche isolante.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)