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1. (WO2006083592) METHOD FOR REDUCING CRITICAL DIMENSIONS USING MULTIPLE MASKING STEPS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/083592    International Application No.:    PCT/US2006/002164
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 20.01.2006
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, California 94438-6470 (US) (For All Designated States Except US).
MARKS, Jeffrey [US/US]; (US) (For US Only).
SADJADI, Reza, S., M. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: MARKS, Jeffrey; (US).
SADJADI, Reza, S., M.; (US)
Agent: LEE, Michael; BEYER WEAVER & THOMAS, LLP, P.O. Box 07250, Oakland, California 94612-0250 (US)
Priority Data:
11/050,985 03.02.2005 US
Title (EN) METHOD FOR REDUCING CRITICAL DIMENSIONS USING MULTIPLE MASKING STEPS
(FR) PROCEDE DESTINE A REDUIRE LES DIMENSIONS CRITIQUES CARACTERISTIQUES AU MOYEN D'ETAPES DE MASQUAGE MULTIPLES
Abstract: front page image
(EN)A method for forming features in an etch layer is provided. A first mask is formed over the etch layer wherein the first mask defines a plurality of spaces with widths. A sidewall layer is formed over the first mask. Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, wherein the features have widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the first mask. The mask and sidewall layer are removed. An additional mask is formed over the etch layer wherein the additional mask defines a plurality of spaces with widths. A sidewall layer is formed over the additional mask. Features are etched into the etch layer through the sidewall layer, wherein the widths that are smaller than the widths of the spaces defined by the first mask. The mask and sidewall layer are removed.
(FR)L'invention porte sur un procédé de formation de caractéristiques dans une couche de gravure. Un premier masque est formé sur la couche de mordançage, ce premier masque définissant une pluralité d'espaces présentant certaines largueurs. Une couche à paroi latérale est formée sur le premier masque. Des caractéristiques sont gravées dans la couche de gravure à travers la couche à paroi latérale, les caractéristiques possédant des largeurs qui sont inférieures aux largeurs des espaces définis par le premier masque. Le masque et la couche à paroi latérale sont ôtés. Un masque supplémentaire est formé sur la couche de gravure, ce masque supplémentaire définissant une pluralité d'espaces possédant certaines largeurs. Une couche à paroi latérale est formées sur le masque supplémentaire. Des caractéristiques sont gravées dans la couche de gravure à travers la couche à paroi latérale, ces largeurs étant inférieures aux largeurs des espaces définis par le premier masque. Le masque et la couche à paroi latérale sont ôtés.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)