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1. (WO2006083546) IN SITU FORMED HALO REGION IN A TRANSISTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/083546    International Application No.:    PCT/US2006/001596
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 17.01.2006
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/165 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One Amd Place, Mail Stop 68, P.o. Box 3453, Sunnyvale, California 94088-3453 (US) (For All Designated States Except US).
KAMMLER, Thorsten [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEI, Andy [US/DE]; (DE) (For US Only).
BIERSTEDT, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KAMMLER, Thorsten; (DE).
WEI, Andy; (DE).
BIERSTEDT, Helmut; (DE)
Agent: DRAKE, Paul; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, Texas 78741 (US)
Priority Data:
102005004411.5 31.01.2005 DE
11/203,848 15.08.2005 US
Title (EN) IN SITU FORMED HALO REGION IN A TRANSISTOR DEVICE
(FR) ZONE DE HALO FORMEE IN SITU DANS UN APPAREIL A TRANSISTOR
Abstract: front page image
(EN)By performing a sequence of selective epitaxial growth processes with at least two different species, or by introducing a first dopant species prior to the epitaxial growth of a drain and source region, a halo region may be formed in a highly efficient manner, while at the same time the degree of lattice damage in the epitaxially grown semiconductor region is maintained at a low level. The method of forming a first semiconductor region (211) by a first epitaxial growth process, forming a second semiconductor region (210) by performing a second epitaxial growth process, whereas the first and second semiconductor regions compose different dopant species.
(FR)La réalisation d'une séquence de processus de croissance épitaxiale sélective avec au moins deux espèces, ou l'introduction d'une première espèce dopante avant croissance épitaxiale d'une zone drain et d'une zone source permet de former une zone de halo de façon très efficace, tout en maintenant le degré de dégâts de réseau dans la zone de semiconducteurs à croissance épitaxiale à un niveau faible. Le procédé selon l'invention consiste à former une première zone de semiconducteurs (211) par l'intermédiaire d'un premier processus de croissance épitaxiale, et à former une deuxième zone de semiconducteurs (210) par l'intermédiaire d'un deuxième processus de croissance épitaxiale, la première et la deuxième zone de semiconducteurs étant composées d'espèces dopantes différentes.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)