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1. (WO2006083380) METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/083380    International Application No.:    PCT/US2005/043293
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 30.11.2005
IPC:
H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo, 107-8481 (JP) (For All Designated States Except US).
WAJDA, Cory [US/US]; (US) (For US Only).
LEUSINK, Gert [NL/US]; (US) (For US Only)
Inventors: WAJDA, Cory; (US).
LEUSINK, Gert; (US)
Agent: MAIER, Gregory, J.; Oblon, Spivak, McClelland, Maier & Neustadt, P.C., 1940 Duke Street, Alexandria, VA 22314 (US)
Priority Data:
11/045,124 31.01.2005 US
Title (EN) METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A method for treating a gate stack in the fabrication of a semiconductor device by providing a substrate containing a gate stack having a dielectric layer formed on the substrate and a metal-containing gate electrode layer formed on the high-k dielectric layer, forming low-energy excited dopant species from a process gas in a plasma, and exposing the gate stack to the excited dopant species to incorporate a dopant into the gate stack. The method can be utilized to tune the workfunction of the gate stack.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de traiter un empilement de grille dans la fabrication d'un dispositif semi-conducteur et consistant à utiliser un substrat contenant un empilement de grille comportant une couche diélectrique formée sur le substrat et une couche d'électrode de grille contenant du métal formée sur la couche diélectrique à constante k élevée, à former des espèces dopantes excitées de faible énergie à partir d'un gaz de traitement dans un plasma, puis à exposer l'empilement de grille aux espèces dopantes excitées pour incorporer un dopant dans l'empilement de grille. Ce procédé peut être utilisé pour ajuster le travail d'extraction de l'empilement de grille.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)