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Pub. No.:    WO/2006/082817    International Application No.:    PCT/JP2006/301587
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 31.01.2006
H01G 4/33 (2006.01), H01G 4/12 (2006.01), H05K 1/16 (2006.01), H05K 3/46 (2006.01)
Applicants: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (For All Designated States Except US).
ISHII, Yasuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MORI, Tooru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHIBUYA, Akinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
YAMAMICHI, Shintaro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
BABA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWAHARA, Hidenori [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: ISHII, Yasuhiro; (JP).
MORI, Tooru; (JP).
SHIBUYA, Akinobu; (JP).
YAMAMICHI, Shintaro; (JP).
BABA, Kazuhiro; (JP).
KAWAHARA, Hidenori; (JP)
Agent: FUJIMAKI, Masanori; 5th Floor, Fukoku Seimei Building 2-2, Uchisaiwaicho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
Priority Data:
2005-029016 04.02.2005 JP
(JA) キャパシタ及びそれを内蔵した配線基板
Abstract: front page image
(EN)A lower electrode is provided on a substrate composed of a resin, a dielectric film composed of an oxide having a perovskite structure is provided on a part of a region on the lower electrode, and an upper electrode is provided on the dielectric film. An insulating layer composed of a resin is provided on the substrate so as to cover the lower electrode, the dielectric film and the upper electrode. A slit-shaped hole is formed on a part of a region of the lower electrode, excluding a region directly under the dielectric film. At a bottom section of the hole, the insulating layer is brought into direct contact with the substrate, and the substrate and the insulating layer are firmly bonded. Thus a capacitor having strong adhesion among the substrate, the lower electrode, the dielectric film and the upper electrode is provided.
(FR)L'invention se rapporte à une électrode inférieure qui est prévue sur un substrat composé d'une résine, à un film diélectrique composé d'un oxyde présentant une structure de pérovskite, lequel est prévu sur une partie de région sur l'électrode inférieure, ainsi qu'à une électrode supérieure qui est prévue sur le film diélectrique. Une couche isolante, composée d'une résine, est prévue sur le substrat de façon à recouvrir l'électrode inférieure, le film diélectrique et l'électrode supérieure. Un trou en forme de fente est formé sur une partie de région de l'électrode inférieure, en excluant la région directement sous le film diélectrique. Au niveau de la section de fond du trou, la couche isolante est mise en contact direct avec le substrat, et le substrat et la couche isolante sont liés fermement. Ainsi on fournit un condensateur présentant une forte adhérence entre le substrat, l'électrode inférieure, le film diélectrique et l'électrode supérieure.
(JA) 樹脂からなる基板上に、下部電極を設け、前記下部電極上の一部の領域に、ペロブスカイト構造を有する酸化物からなる誘電体膜を設け、その上に上部電極を設ける。また、基板上に、下部電極、誘電体膜及び上部電極を覆うように、樹脂からなる絶縁層を設ける。そして、下部電極における誘電体膜の直下域を除く領域の一部に、スリット状のホールを形成する。ホールの底部において、絶縁層は基板に直接接触し、基板と絶縁層とは強固に結合する。これにより、基板、下部電極、誘電体膜及び上部電極の相互間の密着強度が高いキャパシタが得られる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)