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1. (WO2006082718) DIELECTRIC FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/082718    International Application No.:    PCT/JP2006/300838
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 20.01.2006
IPC:
H01L 21/318 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (For All Designated States Except US).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TERAMOTO, Akinobu [JP/JP]; (JP) (For US Only).
GOTO, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KAWASE, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OHMI, Tadahiro; (JP).
TERAMOTO, Akinobu; (JP).
GOTO, Tetsuya; (JP).
KAWASE, Kazumasa; (JP)
Agent: IKEDA, Noriyasu; The Third Mori Building 4-10, Nishishinbashi 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050003 (JP)
Priority Data:
2005-025648 01.02.2005 JP
2005-257946 06.09.2005 JP
Title (EN) DIELECTRIC FILM AND METHOD FOR FORMING THE SAME
(FR) FILM DIÉLECTRIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 誘電体膜及びその形成方法
Abstract: front page image
(EN)A dielectric film wherein N in the state of an Si3≡N bonding is present in a concentration of 3 atomic % or more in the surface side of an oxide film and also is present in a concentration of 0.1 atomic % or less in the interface side of the oxide film can achieve the prevention of the B diffusion and also the prevention of the deterioration of the NBTI resistance in combination. When the Ar/N2 radical nitridation is used, it is difficult for the resultant oxide film to satisfy the condition wherein N in the above bonding state is present in a concentration of 3 atomic % or more in the surface side of an oxide film and simultaneously is present in a concentration of 0.1 atomic % or less in the interface side of the oxide film, whereas, the above distribution of the N concentration can be achieved by using any of the gas combinations of Xe/N2, Kr/N2, Ar/NH3, Xe/NH3, Kr/NH3, Ar/N2/H2, Xe/N2/H2 and Kr/N2/H2.
(FR)L’invention concerne un film diélectrique où N à l’état d’une liaison Si3≡N est présent dans une concentration supérieure ou égale à 3% atomique dans le côté superficiel d’un film d’oxyde et est également présent dans une concentration inférieure ou égale à 0,1% atomique dans le côté d’interface du film d’oxyde pour empêcher la diffusion B de même que la baisse de résistance NBTI en combinaison. Si l’on utilise la nitruration radicale Ar/N2, il est difficile de parvenir à ce que le film d’oxyde résultant satisfasse à la condition où N dans l’état de liaison ci-dessus est présent dans une concentration supérieure ou égale à 3% atomique dans le côté superficiel d’un film d’oxyde et se trouve simultanément présent dans une concentration inférieure ou égale à 0,1% atomique dans le côté d’interface du film d’oxyde, alors qu’à l’aide de l’une des combinaisons gazeuses que sont Xe/N2, Kr/N2, Ar/NH3, Xe/NH3, Kr/NH3, Ar/N2/H2, Xe/N2/H2 et Kr/N2/H2 on peut atteindre la distribution ci-dessus de la concentration N.
(JA) 酸化膜の表面側にSi3≡N結合の状態にあるNが3 原子%以上,界面側に0.1原子%以下の濃度で存在させることにより,B拡散の防止と,NBTI耐性の劣化を防止両立させる。Ar/N2ラジカル窒化を用いた場合,上記結合状態にあるNの濃度を,表面側3 原子%以上,界面側0.1 原子%以下を同時に満たすことは困難であるが,Xe/N2, Kr/N2, Ar/NH3, Xe/NH3, Kr/NH3, Ar/N2/H2, Xe/N2/H2, Kr/N2/H2のいずれかのガスの組み合わせを用いることにより,上記N濃度分布を実現可能とする。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)