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1. (WO2006082618) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/082618    International Application No.:    PCT/JP2005/001331
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 31.01.2005
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
Applicants: SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (For All Designated States Except US).
TAKEMORI, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WATANABE, Yuji [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SASAOKA, Fuminori [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MATSUYAMA, Kazushige [JP/JP]; (JP) (For US Only).
OHSHIMA, Kunihito [JP/JP]; (JP) (For US Only).
ITOI, Masato [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TAKEMORI, Toshiyuki; (JP).
WATANABE, Yuji; (JP).
SASAOKA, Fuminori; (JP).
MATSUYAMA, Kazushige; (JP).
OHSHIMA, Kunihito; (JP).
ITOI, Masato; (JP)
Agent: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu Chuo-ku, Tokyo 1048453 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法
Abstract: front page image
(EN)On the surface region of a drift layer (102), two carrier extracting regions (109, 110) containing a P-type impurity are formed. The carrier extracting region (109) is brought into contact with a trench (106) having contact with a P-type body region (103), and is also brought into contact with the P-type body region (103). The carrier extracting region (109) is also brought into contact with the outermost trench (106). The carrier extracting region (110) is brought into contact with the trench (106) having contact with the carrier extracting region (109), and is separated from the carrier extracting region (109). A small number of carriers, which have been injected into the drift layer (102) while a semiconductor device (1a) is operated, flow into the carrier extracting regions (109, 110).
(FR)Selon l'invention, sur la région de surface d'une couche de dérive (102), deux régions d'extraction de porteuses (109, 110) renfermant une impureté de type P sont formées. La région d'extraction de porteuses (109) est amenée en contact avec une tranchée (106) étant en contact avec une région de corps de type P (103) et la région d'extraction est également amenée en contact avec la région de corps de type P (103). La région d'extraction de porteuses (109) est également amenée en contact avec la tranchée située le plus à l'extérieur (106). La région d'extraction de porteuses (110) est amenée en contact avec la tranchée (106) étant en contact avec la région d'extraction de porteuses (109) et est séparée de celle-ci (109). Un petit nombre de porteuses, ayant été injecté dans la couche de dérive (102) alors qu'un dispositif semi-conducteur (1a) est mis en oeuvre, s'écoule dans les régions d'extraction de porteuses (109, 110).
(JA) ドリフト層102の表面領域には、P型不純物を含む2つのキャリア引き抜き領域109および110が形成されている。キャリア引き抜き領域109は、P型ボディ領域103と接するトレンチ106と接していると共に、P型ボディ領域103とも接している。また、キャリア引き抜き領域109は最も外側のトレンチ106に接している。キャリア引き抜き領域110は、キャリア引き抜き領域109と接するトレンチ106に接しており、キャリア引き抜き領域109とは分離されている。キャリア引き抜き領域109および110には、半導体装置1aの動作時にドリフト層102に注入された少数キャリアが流れ込む。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)