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1. (WO2006082293) METHOD AND SYSTEM FOR TESTING OR MEASURING ELECTRICAL ELEMENTS, USING TWO OFFSET PULSES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/082293    International Application No.:    PCT/FR2006/000154
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 24.01.2006
Chapter 2 Demand Filed:    09.11.2006    
IPC:
G01R 31/308 (2006.01), G01R 31/305 (2006.01)
Applicants: BEAMIND [FR/FR]; 769 Boulevard de l'Escourche, F-83150 Bandol (FR) (For All Designated States Except US).
VAUCHER, Christophe [FR/FR]; (FR) (For US Only).
BENECH, Pierre [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: VAUCHER, Christophe; (FR).
BENECH, Pierre; (FR)
Agent: MARCHAND, André; OMNIPAT, 24, place des Martyrs de la Résistance, F-13100 Aix-en-Provence (FR)
Priority Data:
0501099 04.02.2005 FR
Title (EN) METHOD AND SYSTEM FOR TESTING OR MEASURING ELECTRICAL ELEMENTS, USING TWO OFFSET PULSES
(FR) PROCEDE ET SYSTEME DE TEST OU DE MESURE D'ELEMENTS ELECTRIQUES, AU MOYEN DE DEUX IMPULSIONS DECALEES
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a method for testing electrical elements (2-1) including steps which consist in: applying a first beam of particles (4-1) to a first location (3-1) of an electrical element, to release the electrons from the first location, applying a second beam of particles (4-2) to a second location (3-2) of an electrical element, with a temporal offset (?t) non-null relative to the application of the first beam of particles (4-1), to release electrons of the second location, collecting the electrons released under the effect of the first and second beams of particles, and measuring at least one amount of electric charges corresponding to the collection of electrons released under the effect of the second beam of particles, and deducing therefrom quantitatively or qualitatively one electrical characteristic of the electrical element.
(FR)L'invention concerne un procédé de test d'éléments électriques (2-1) comprenant des étapes consistant à appliquer un premier faisceau de particules (4-1) à un premier emplacement (3- 1) d'un élément électrique, pour libérer des électrons du premier emplacement, appliquer un second faisceau de particules (4-2) à un second emplacement (3-2) d'un élément électrique, avec un décalage temporel (Δt) non nul relativement à l'application du premier faisceau de particules (4-1), pour libérer des électrons du second emplacement, collecter des électrons libérés sous l'effet des premier et second faisceaux de particules, et mesurer au moins une quantité de charges électriques correspondant à la collecte des électrons libérés sous l'effet du second faisceau de particules, et en déduire quantitativement ou qualitativement une caractéristique électrique de l'élément électrique.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)