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1. (WO2006082247) MULTI-GATE FET WITH MULTI-LAYER CHANNEL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/082247    International Application No.:    PCT/EP2006/050691
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 06.02.2006
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (For All Designated States Except US).
ALLIBERT, Frédéric [FR/FR]; (FR) (For US Only).
AKATSU, Takeshi [JP/FR]; (FR) (For US Only).
GHYSELEN, Bruno [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: ALLIBERT, Frédéric; (FR).
AKATSU, Takeshi; (FR).
GHYSELEN, Bruno; (FR)
Agent: TEXIER, Christian; CABINET REGIMBEAU, 20 rue de Chazelles, F-75847 PARIS CEDEX 17 (FR)
Priority Data:
0501129 04.02.2005 FR
Title (EN) MULTI-GATE FET WITH MULTI-LAYER CHANNEL
(FR) TEC A GRILLES MULTIPLES POURVU D'UN CANAL A COUCHES MULTIPLES
Abstract: front page image
(EN)The invention concerns a field-effect transistor with a drain, a source, a channel in electrical contact with the source and the drain, and at least one gate, so as to apply an electric field to the channel when each gate is polarised, where the channel has a multi-layer structure with at least three layers, and with at least one of the layers of the multi-layer structure having electrical properties that are substantially different from those of another layer of the multi-layer structure, characterised in that a single gate or two gates are substantially perpendicular to the reference plane of the channel defined by an interface plane between two layers of the multi-layer structure.
(FR)L'invention se rapporte à un transistor à effet de champ équipé d'un drain, d'une source, d'un canal en contact électrique avec la source et le drain, et d'au moins une grille, de manière à appliquer un champ électrique sur le canal lorsque la grille est polarisée. Le canal présente une structure à couches multiples pourvue d'au moins trois couches, au moins une des couches de la structure à couches multiples possédant des propriétés électriques qui sont sensiblement différentes de celles de l'autre couche de la structure à couches multiples. L'invention se caractérise par le fait qu'une seule grille ou deux grilles sont sensiblement perpendiculaires au plan de référence du canal défini par un plan d'interface entre deux couches de la structure à couches multiples.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)