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1. (WO2006082163) METHODS OF FORMING SILICIDE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/082163    International Application No.:    PCT/EP2006/050498
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 27.01.2006
Chapter 2 Demand Filed:    03.07.2006    
IPC:
H01L 21/283 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Applicants: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
LIM, Chan [KR/US]; (US) (For US Only).
MOON, Bum-Ki [KR/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LIM, Chan; (US).
MOON, Bum-Ki; (US)
Agent: KINDERMANN, Peter; Patentanwälte Kindermann, Postfach 100234, 85593 Baldham (DE).
KARL, Frank; Patentanwälte Kindermann, Postfach 100234, 85593 Baldham (DE)
Priority Data:
11/048,236 01.02.2005 US
Title (EN) METHODS OF FORMING SILICIDE
(FR) PROCEDES POUR PRODUIRE DU SILICIURE
Abstract: front page image
(EN)Methods of fully suiciding semiconductive materials of semiconductor devices are disclosed. A preferred embodiment comprises depositing an alloy comprised of a first metal and a second metal over a semiconductive material (208). The device is heated, causing atoms (232) of the semiconductive material to move towards and bond to the atoms (234) of the second metal, leaving vacancies in the semiconductive material, and causing atoms (236) of the first metal to move into the vacancies in the semiconductive material.
(FR)La présente invention concerne des procédés pour mettre intégralement sous forme de siliciure des matériaux semi-conducteurs de dispositifs à semi-conducteur. Un mode de réalisation préféré comprend le dépôt d'un alliage comprenant un premier métal et un second métal, sur un matériau semi-conducteur (208). Le dispositif est chauffé, ce qui provoque le déplacement d'atomes (232) du matériau semi-conducteur, vers les atomes (234) du second métal, et leur liaison à ces derniers, des espaces vides étant alors formés dans la matériau semi-conducteur, et les atomes (236) du premier métal se déplaçant dans les espaces vides du matériau semi-conducteur.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)