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1. (WO2006081987) METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED CIRCUITS PROVIDED WITH SILICON- GERMANIUM HETERO-BIPOLAR TRANSISTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/081987    International Application No.:    PCT/EP2006/000711
Publication Date: 10.08.2006 International Filing Date: 27.01.2006
Chapter 2 Demand Filed:    27.11.2006    
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/737 (2006.01)
Applicants: ATMEL GERMANY GMBH [DE/DE]; Theresienstr. 2, 74072 Heilbronn (DE) (For All Designated States Except US).
BRANDL, Peter [DE/AT]; (AT) (For US Only)
Inventors: BRANDL, Peter; (AT)
Agent: MÜLLER, Wolf-Christian; Pilgramsroth 21E, 96450 Coburg (DE)
Priority Data:
10 2005 004 707.6 02.02.2005 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INTEGRIERTER SCHALTKREISE MIT SILIZIUM- GERMANIUM-HETEROBIPOLARTRANSISTOREN
(EN) METHOD FOR PRODUCING INTEGRATED CIRCUITS PROVIDED WITH SILICON- GERMANIUM HETERO-BIPOLAR TRANSISTORS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION DE CIRCUITS INTEGRES AYANT DES TRANSISTORS HETEROBIPOLAIRES SILICIUM-GERMANIUM
Abstract: front page image
(DE)Verfahren zur Herstellung integrierter Schaltkreise mit Silizium-Germanium- Heterobipolartransistoren, wobei, ein Kollektorhalbieitergebiet erzeugt wird, indem, eine Atzstoppschicht auf einem Anschlussgebiet erzeugt wird, in diese Atzstoppschicht eine Offnung eingebracht wird, Ëber der Atzstoppschicht und Ëber der Offnung Halbleitermaterial aufgebracht wird, das zumindest im Kollektorhalbieitergebiet oberhalb der Offnung monokristallin ausgebildet wird, vor einem Atzen des Halbleitermaterials oberhalb des Kollektor- halbleitergebietes eine Maskierschicht auf das Halbleitermaterial aufgebracht wird, die das Kollektorhalbieitergebiet vor dem Atzen schËtzt, nachfolgend das Halbleitermaterial bis zur Tiefe der Atzstoppschicht geatzt wird, wobei die Atzstoppschicht derart als Atzstopp wirkt, dass ein Erreichen einer Grenzflache zwischen dem Halbleitermaterial und der Atzstoppschicht wahrend des Atzens detektiert und in Abhangigkeit von dieser Detektion das Atzen gestoppt wird.
(EN)The invention relates to a method of producing integrated circuits provided with silicon-germanium hetero-bipolar transistors. A collector semiconductor area is produced, wherein an etching stop layer is produced on a connecting region and an opening is introduced into said etching stop layer. Semi-conductor material is applied over the etching stop layer and over the opening and is monocrystalline at least in the collector semiconductor area above the opening. A masking layer is applied to the semiconductor material prior to etching the semiconductor material above the collector semiconductor area, said masking layer protecting the collector semiconductor area prior to etching. Subsequently, the semiconductor material is etched until the etching stop layer is reached. Said etching stop layer stops etching when a defining surface between the semiconductor material and the etching stop layer is detected during etching and etching is stopped according to said detection.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de circuits intégrés ayant des transistors hétérobipolaires silicium-germanium. Ce procédé consiste à produire une zone semi-conductrice collecteur. A cet effet, on produit une couche d'arrêt de gravure dans une zone de connexion; on réalise un orifice dans cette couche d'arrêt de gravure ; on applique, sur la couche d'arrêt de gravure et sur l'orifice, un matériau semi-conducteur qui est monocristallin au moins dans la zone semi-conductrice collecteur au-dessus de l'orifice ; avant la gravure du matériau semi-conducteur, on applique sur le matériau semi-conducteur au-dessus de la zone semi-conductrice collecteur, une couche de masque qui protège la zone semi-conductrice collecteur ; ensuite on grave le matériau semi-conducteur jusqu'à la profondeur de la couche d'arrêt de gravure, la couche d'arrêt de gravure a une action d'arrêt de gravure de telle façon que l'on détecte le moment où l'on atteint la couche limite entre le matériau semi-conducteur et la couche d'arrêt de gravure pendant la gravure et que l'on arrête la gravure en fonction de cette détection.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)