WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2006081005) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NITRIDATED OXIDE LAYER AND METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/081005    International Application No.:    PCT/US2005/045731
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 16.12.2005
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/4763 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (For All Designated States Except US).
LIM, Sangwoo [KR/US]; (US) (For US Only).
STEIMLE, Robert F. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: LIM, Sangwoo; (US).
STEIMLE, Robert F.; (US)
Agent: KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, TX 78729 (US)
Priority Data:
11/043,827 26.01.2005 US
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NITRIDATED OXIDE LAYER AND METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT UNE COUCHE D'OXYDE NITRUREE ET PROCEDE CORRESPONDANT
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device includes a substrate (12), a first insulating layer (14) over a surface of the substrate (12), a layer of nanocrystals (13) over a surface of the first insulating layer (14), a second insulating layer (15) over the layer of nanocrystals (13). A nitriding ambient is applied to the second insulating layer (15) to form a barrier to further oxidation when a third insulating layer (22) is formed over the substrate (12). The nitridation of the second insulating layer (15) prevents oxidation or shrinkage of the nanocrystals and an increase in the thickness of the first insulating layer 14 without adding complexity to the process flow for manufacturing the semiconductor device (10).
(FR)La présente invention a trait à un dispositif à semi-conducteurs comportant un substrat (12), une première couche d'isolation (14) sur la surface de substrat (12), une couche de nanocristaux (13) sur la surface de la première couche d'isolation (14), une deuxième couche d'isolation (15) sur la couche de nanocristaux (13). Une atmosphère ambiante de nitruration est appliquée à la deuxième couche d'isolation (15) pour former une barrière pour favoriser l'oxydation lors de la formation d'une troisième couche d'isolation (22) sur le substrat (12). La nitruration de la deuxième couche (15) empêche l'oxydation ou le retrait des nanocristaux et un accroissement dans l'épaisseur de la première couche d'isolation (14) sans ajouter de complexité au déroulement des opérations pour la fabrication du dispositif à semi-conducteurs (10).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)