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1. (WO2006081003) METAL GATE TRANSISTOR FOR CMOS PROCESS AND METHOD FOR MAKING
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/081003    International Application No.:    PCT/US2005/045727
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 16.12.2005
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (For All Designated States Except US).
SCHAEFFER, III, James K. [US/US]; (US) (For US Only).
ADETUTU, Olubunmi O. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: SCHAEFFER, III, James K.; (US).
ADETUTU, Olubunmi O.; (US)
Agent: KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, TX 78729 (US)
Priority Data:
11/043,337 26.01.2005 US
Title (EN) METAL GATE TRANSISTOR FOR CMOS PROCESS AND METHOD FOR MAKING
(FR) TRANSISTOR A ELECTRODE METALLIQUE DESTINE A UN PROCEDE CMOS ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)A method for forming a semiconductor device (100) includes a semiconductor substrate having a first region (104), forming a gate dielectric (108) over the first region, forming a conductive metal oxide (110) over the gate dielectric, forming an oxidation resistant barrier layer (111) over the conductive metal oxide, and forming a capping layer (116) over the oxidation resistant barrier layer. In one embodiment, the conductive metal oxide is IrO2, MoO2, and RuO2, and the oxidation resistant barrier layer includes TiN.
(FR)L'invention concerne un procédé de façonnage d'un dispositif semi-conducteur (100) comprenant un substrat semi-conducteur ayant une première zone (104), formant une électrode diélectrique (108) sur la première zone, formant un oxyde métallique conducteur (110) sur l'électrode diélectrique, formant une couche barrière résistante à l'oxydation (111) sur l'oxyde métallique conducteur, et formant une couche de recouvrement (116) sur la couche barrière résistante à l'oxydation. Dans un mode de réalisation, l'oxyde métallique conducteur est IrO2, MoO2 et RuO2 et la couche barrière résistante à l'oxydation contient du TiN.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)