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1. (WO2006080999) NON-VOLATILE NANOCRYSTAL MEMORY AND METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080999    International Application No.:    PCT/US2005/045207
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 14.12.2005
IPC:
H01L 21/331 (2006.01), H01L 21/4763 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 21/461 (2006.01)
Applicants: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, TX 78735 (US) (For All Designated States Except US).
RAO, Rajesh A. [IN/US]; (US) (For US Only).
MURALIDHAR, Ramachandran [US/US]; (US) (For US Only).
WHITE, Bruce E. [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: RAO, Rajesh A.; (US).
MURALIDHAR, Ramachandran; (US).
WHITE, Bruce E.; (US)
Agent: KING, Robert, L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, TX 78729 (US)
Priority Data:
11/043,826 26.01.2005 US
Title (EN) NON-VOLATILE NANOCRYSTAL MEMORY AND METHOD THEREFOR
(FR) MEMOIRE NON VOLATILE A NANOCRISTAUX ET PROCEDE ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A nanocrystal non-volatile memory (NVM) (10) has a dielectric (22) between the control gate (26) and the nanocrystals (16) that has a nitrogen content sufficient to reduce the locations in the dielectric (22) where electrons can be trapped. This is achieved by grading the nitrogen concentration. The concentration of nitrogen is highest near the nanocrystals (16) where the concentration of electron/hole traps tend to be the highest and is reduced toward the control gate (26) where the concentration of electron/hole traps is lower. This has been found to have the beneficial effect of reducing the number of locations where charge can be trapped.
(FR)La présente invention se rapporte à une mémoire non volatile à nanocristaux (NVM) (10), qui possède un diélectrique (22), placé entre la grille de commande (26) et les nanocristaux (16), qui présente une teneur en azote suffisante pour réduire les emplacements dans le diélectrique (22) où les électrons peuvent être piégés. Cela peut se faire grâce à la gradation de la teneur en azote. La teneur en azote est maximale à proximité des nanocristaux (16), où la concentration des pièges à électrons/trous tend à être maximale, et est réduite vers la grille de commande (26), où la concentration des pièges à électrons/trous est moins élevée. Il s'avère que cette structure présente l'avantage de réduire le nombre d'emplacements où une charge peut être piégée.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)