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1. (WO2006080594) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING CHARGED-COUPLED DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080594    International Application No.:    PCT/KR2005/000252
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 28.01.2005
IPC:
H01L 27/146 (2006.01)
Applicants: INTERNATIONAL DISPLAY SOLUTIONS CO., LTD. [KR/KR]; 708, Seo-ri, Yidong-myeon, Yongin-shi, Gyunggi-Do 449-934 (KR) (For All Designated States Except US).
KIM, Kyung-Sik [KR/KR]; (KR) (For US Only)
Inventors: KIM, Kyung-Sik; (KR)
Agent: KIM, Inhan; Room 901 Doorea Bldg., 24,, Yeouido-dong,, Yeongdeungpo-gu,, Seoul 150-877 (KR)
Priority Data:
10-2005-0006862 25.01.2005 KR
Title (EN) SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING CHARGED-COUPLED DEVICES AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
(FR) DISPOSITIF DE PRISE DE VUES A SEMICONDUCTEURS UTILISANT DES DISPOSITIFS A COUPLAGE DE CHARGES ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A solid-state image pickup device using charged coupled devices (CCD) and a method for fabricating the solid-stat image pickup device are disclosed. The present invention can simplify processes to increase yield, overcome imprecise light collection caused by diffuse reflection and prevent light from being incident on adjacent cells. The solid-state image pickup device using charged-coupled devices (CCD) includes an n-type impurity doped region and buried charged-coupled devices (BCCD) region formed on a surface of the semiconductor substrate. Especially, the solid-state image pickup device comprises a first protective film formed on the n-type impurity doped region and the BCCD region, poly silicon electrodes prepared on the first protective film formed on the BCCD region, a second protective film and a metal light shielding film sequentially coated on the poly silicon electrodes, a planarized BPSG film formed on the metal light shielding film and the first protective film of the surface of the n-type impurity doped region, and a color filter pattern formed on the planaized BPSG film.
(FR)L'invention concerne un dispositif de prise de vues à semi-conducteurs, utilisant des dispositifs à couplage de charges, ainsi que son procédé de fabrication, permettant de simplifier les processus d'augmentation du rendement, de résoudre le problème de la collecte de lumière imprécise induite par la réflexion diffuse et d'empêcher la lumière d'être incidente sur les cellules adjacentes. Le dispositif de prise de vues à semi-conducteurs utilisant des dispositifs à couplage de charges comprend une zone de dopage de type n et une zone de dispositifs à couplage de charges enterrée (BCCD), formée sur une surface du substrat à semi-conducteurs. Le dispositif de prises de vues à semi-conducteurs comprend notamment un premier film de protection formé sur la zone de dopage de type n et la zone BCCD, des électrodes de polysilicium préparées sur le premier film protecteur formé sur la zone BCCD, un second film protecteur et un film métallique de protection contre la lumière appliqué séquentiellement sur les électrodes de polysilicium, un film BPSG planarisé formé sur le film métallique de protection contre la lumière et le premier film protecteur de la surface de la zone de dopage de type n, ainsi qu'un filtre coloré formé sur le film BPSG planarisé.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)