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1. (WO2006080548) p-i-n TYPE CIRCULAR POLARIZED MODULATED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LASER ELEMENT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080548    International Application No.:    PCT/JP2006/301702
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 26.01.2006
IPC:
B82Y 20/00 (2011.01), H01L 33/06 (2010.01), H01S 5/026 (2006.01), H01S 5/343 (2006.01)
Applicants: Tokyo Institute of Technology [JP/JP]; 2-12-1, Ookayama, Meguro-ku, Tokyo 1528550 (JP) (For All Designated States Except US).
TANAKA, Kenichiro [JP/JP]; (JP) (For US Only).
MUNEKATA, Hiroo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KONDO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TANAKA, Kenichiro; (JP).
MUNEKATA, Hiroo; (JP).
KONDO, Tsuyoshi; (JP)
Agent: AOKI, Atsushi; SEIWA PATENT & LAW Toranomon 37 Mori Bldg. 5-1, Toranomon 3-chome Minato-ku, Tokyo 1058423 (JP)
Priority Data:
2005-020427 27.01.2005 JP
Title (EN) p-i-n TYPE CIRCULAR POLARIZED MODULATED LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND LASER ELEMENT
(FR) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR D’EMISSION DE LUMIERE MODULEE POLARISEE CIRCULAIRE DE TYPE PIN ET ELEMENT LASER
(JA) p-i-n型円偏光変調発光半導体素子及びレーザ素子
Abstract: front page image
(EN)There is provided a p-i-n circular polarized modulated light emitting semiconductor element having a quantum well structure formed by a non-magnetic semiconductor layer and a magnetic semiconductor layer of a small band gap arrange in the vicinity of or adjacent to the well layer of the structure. By applying an external voltage, circular polarization degree (clockwise and counterclockwise) can be modulated at a high speed so as to output a circular polarized light.
(FR)L’invention concerne un élément semi-conducteur d’émission de lumière modulée polarisée circulaire de type pin présentant une structure à puits quantique formée par une couche semi-conductrice non magnétique et une couche semi-conductrice magnétique d’une petite largeur de bande placée à proximité ou près de la couche de puits de la structure. En appliquant une tension externe, le degré de polarisation circulaire (dans le sens des aiguilles d’une montre et dans le sens contraire des aiguilles d'une montre) peut être modulé à une vitesse élevée de manière à produire une lumière polarisée circulaire.
(JA)非磁性半導体層からなる量子井戸構造と、該構造の障壁層に近接、又は、隣接して、バンドギャップの小さい磁性半導体層を備え、外部印加電圧により、円偏光度(右回りと左回り)を高速で変調して、円偏光を出力できることを特徴とするp−i−n型円偏光変調発光半導体素子。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)