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1. (WO2006080478) MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DRIVING METHOD THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080478    International Application No.:    PCT/JP2006/301395
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 24.01.2006
IPC:
G11C 13/00 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01), H01L 27/10 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
KATO, Kiyoshi [JP/JP]; (JP) (For US Only).
IZUMI, Konami; (For US Only).
YAMAZAKI, Shunpei; (For US Only)
Inventors: KATO, Kiyoshi; (JP).
IZUMI, Konami; .
YAMAZAKI, Shunpei;
Priority Data:
2005-022302 28.01.2005 JP
Title (EN) MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DRIVING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF MEMOIRE, DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR ET MODE DE FONCTIONNEMENT ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)To provide a memory device which operates with low power consumption, has high reliability of the stored data, and is small-size, light-weight and inexpensive, and a driving method thereof. In addition, to provide a semiconductor device which operates with low power consumption, has high reliability of the stored data and a long distance of radio frequency communication, and is small-size, light-weight and inexpensive, and a driving method thereof. The memory device includes a memory cell array in which at least memory elements are arranged in matrix, and a writing circuit. The memory element has a first conductive layer, a second conductive layer, and an organic compound layer formed therebetween, and the writing circuit includes a voltage generating circuit for generating a voltage in order to apply at plural times, and a timing controlling circuit for controlling output time of the voltage.
(FR)L'invention concerne un dispositif mémoire à fonctionnement peu consommateur d'énergie, offrant une grande fiabilité pour les données stockées, de dimensions et de poids réduits et peu coûteux, ainsi qu'un mode de fonctionnement associé. La présente invention porte également sur un dispositif semi-conducteur à fonctionnement peu consommateur d'énergie, offrant une grande fiabilité pour les données stockées et une communication en radiofréquence longue distance, ce dispositif étant de dimensions et de poids réduits et peu coûteux, ainsi que sur un mode de fonctionnement associé. Le dispositif mémoire comporte un réseau de cellules mémoires, dans lequel au moins certains éléments mémoires sont disposés en matrice, ainsi qu'un circuit d'écriture. L'élément mémoire a une première couche conductrice, une deuxième couche conductrice et une couche de composé organique intermédiaire. Le circuit d'écriture comprend un circuit générateur de tension pour générer une tension à appliquer plusieurs fois et un circuit de contrôle de temporisation pour contrôler la durée de génération de tension.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)