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1. (WO2006080428) METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080428    International Application No.:    PCT/JP2006/301297
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 27.01.2006
IPC:
G03F 7/40 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Applicants: NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 3-1, Otemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008116 (JP) (For All Designated States Except US).
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (For All Designated States Except US).
NAMATSU, Hideo [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SATO, Mitsuru [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAMATSU, Hideo; (JP).
SATO, Mitsuru; (JP)
Agent: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku Tokyo 1048453 (JP)
Priority Data:
2005-020375 27.01.2005 JP
Title (EN) METHOD OF FORMING RESIST PATTERN
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D’UN MOTIF DE RÉSERVE
(JA) レジストパターン形成方法
Abstract: front page image
(EN)A fine high-precision resist pattern excelling in etching resistance is formed. There is provided a method of forming a resist pattern, characterized by developing a resist composition being photosensitive to given light source in accordance with lithography technique and bringing resist pattern (2) thus formed on substrate (1) into contact with supercritical treatment liquid (5’) consisting of supercritical fluid (3’) containing crosslinking agent (4).
(FR)La présente invention concerne un fin motif de réserve de grande précision qui possède une excellente résistance à la gravure. L’invention concerne également un procédé de formation d’un motif de réserve, caractérisé par la mise au point d'une composition de réserve qui est photosensible à une source de lumière donnée conformément à une technique de lithographie et en mettant le motif de réserve (2) ainsi formé sur le substrat (1) en contact avec un liquide de traitement supercritique (5’) constitué d’un fluide supercritique (3’) qui comprend un agent de réticulation (4).
(JA) 微細、高精度で、エッチング耐性に優れたレジストパターンを形成する。所定の光源に感光性を有するレジスト組成物をリソグラフィー技術により現像処理をして、基板1上に形成されたレジストパターン2を、架橋剤4を含む超臨界流体3’からなる超臨界処理液5’に接触させることを特徴とするレジストパターン形成方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)