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1. (WO2006080376) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080376    International Application No.:    PCT/JP2006/301189
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 26.01.2006
IPC:
H01L 33/12 (2010.01), H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/42 (2010.01)
Applicants: ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho Ukyo-ku Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TAMURA, Kentaro [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKAHARA, Ken; (JP).
TAMURA, Kentaro; (JP)
Agent: KAWAMURA, Kiyoshi; Kawamura & Co. Shinei Bldg. 6E 5-1, Nishinakajima 4-chome Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Priority Data:
2005-019522 27.01.2005 JP
Title (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL LAYER
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE ET PROCÉDÉ DE CULTURE DE COUCHE DE CRISTAL SEMI-CONDUCTEUR DE NITRURE
(JA) 窒化物半導体素子および窒化物半導体結晶層の成長方法
Abstract: front page image
(EN)A nitride semiconductor device, such as a nitride semiconductor luminescent device or transistor device, obtained by without forming of an amorphous low-temperature buffer layer, forming a single crystal layer of nitride semiconductor having both of its a-axis and c-axis aligned directly on a substrate and effecting epitaxial growth of a nitride semiconductor layer on the single crystal layer; and a method of directly growing such a nitride semiconductor single crystal layer. In the growing of nitride semiconductor layer (3) on substrate (1) not adapted to lattice matching of nitride semiconductor, buffer layer (2) of a single crystal of AlxGayIn1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1 and 0≤x+y≤1) having its a-axis and c-axis aligned is directly formed on the substrate (1) and epitaxial growth of nitride semiconductor layer (3) is carried out on the buffer layer (2) of the single crystal. This buffer layer of the single crystal can be formed by the use of PLD process.
(FR)L’invention concerne un dispositif semi-conducteur de nitrure, comme un dispositif luminescent semi-conducteur de nitrure ou un dispositif à transistor, obtenu sans former de couche tampon basse température amorphe, en constituant une couche de simple cristal de semi-conducteur de nitrure ayant à la fois un axe a et un axe c alignés directement sur un substrat et en réalisant la croissance épitaxiale d’une couche semi-conductrice de nitrure sur la couche de simple cristal; et un procédé de croissance directe d’une telle couche de simple cristal semi-conductrice de nitrure. Pendant la culture de la couche semi-conductrice de nitrure (3) sur un substrat (1) non adapté pour mise en correspondance en treillis de semi-conducteur de nitrure, une couche tampon (2) d’un simple cristal de AlxGayIn1-x-yN (0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤1 et 0 ≤ x+y ≤ 1) ayant son axe a et son axe c alignés est formée directement sur le substrat (1) et l’on réalise la croissance épitaxiale de couche semi-conductrice de nitrure (3) sur la couche tampon (2) du simple cristal. La couche tampon du simple cristal peut être formée par le procédé PLD.
(JA) アモルファス状の低温バッファ層を形成することなく、直接窒化物半導体のa軸とc軸の両方が揃った単結晶層を基板上に形成し、その単結晶層上に窒化物半導体層がエピタキシャル成長された窒化物半導体発光素子やトランジスタ素子などの窒化物半導体素子、およびその窒化物半導体単結晶層を直接成長する方法を提供する。  窒化物半導体が格子整合しない基板1上に窒化物半導体層3が成長される場合に、基板1上に、AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)からなりa軸およびc軸が整列した単結晶の緩衝層2が直接設けられ、その単結晶の緩衝層2上に窒化物半導体層3がエピタキシャル成長されている。この単結晶の緩衝層は、PLD法を用いることにより形成することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)