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1. (WO2006080375) MAGNESIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080375    International Application No.:    PCT/JP2006/301188
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 26.01.2006
IPC:
C23C 14/24 (2006.01), H01J 9/02 (2006.01), H01J 11/02 (2006.01)
Applicants: TATEHO CHEMICAL INDUSTRIES CO., LTD. [JP/JP]; 974, Aza Kato Kariya, Ako-shi, Hyogo 6780239 (JP) (For All Designated States Except US).
TOUTSUKA, Atsuo; (For US Only).
KAWAGUCHI, Yoshifumi; (For US Only).
KUNISHIGE, Masaaki; (For US Only)
Inventors: TOUTSUKA, Atsuo; .
KAWAGUCHI, Yoshifumi; .
KUNISHIGE, Masaaki;
Agent: TSUKUNI, Hajime; SVAX TS Bldg. 22-12, Toranomon 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2005-018033 26.01.2005 JP
Title (EN) MAGNESIUM OXIDE SINGLE CRYSTAL VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) MATÉRIAU DE DÉPOSITION EN PHASE GAZEUSE À SIMPLE CRISTAL ET OXYDE DE MAGNÉSIUM ET PROCÉDÉ DE FABRICATION IDOINE
(JA) 酸化マグネシウム単結晶蒸着材及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)This invention provides a single crystal MgO vapor deposition material for use as a target material for forming an MgO film on a substrate by a vacuum vapor deposition method such as an electron beam vapor deposition method. This vapor deposition material does not reduce a film formation speed during vapor deposition and, at the same time, can prevent the occurrence of splash, and has excellent film properties, for example, can improve, for example, discharge characteristics when used as a protective film for PDP. A magnesium oxide single crystal vapor deposition material is also provided in which the half value width of a rocking curve on a magnesium oxide (200) face is 0.005 to 0.025 degree. There is also provided a process for producing a magnesium oxide single crystal vapor deposition material comprising the step of disintegrating a magnesium oxide single crystal. In the disintegration step, a blade-type impactor is allowed to collide at an angle of -5 to +5 degrees to magnesium oxide (100) face orientation for cleavage.
(FR)La présente invention concerne un matériau de déposition en phase gazeuse MgO à simple cristal devant servir de matériau cible pour former un film MgO sur un substrat par un procédé de déposition en phase gazeuse sous vide comme un procédé de déposition en phase gazeuse à faisceau électronique. Ce matériau de déposition en phase gazeuse ne réduit pas une vitesse de formation de film pendant la déposition en phase gazeuse et, dans le même temps, peut empêcher l’apparition de projections, avec d’excellentes propriétés de film, par exemple, des caractéristiques de décharge améliorées en cas d’utilisation comme film de protection pour PDP. L’invention porte également sur un matériau de déposition en phase gazeuse à simple cristal et oxyde de magnésium dans lequel la demie largeur de valeur d’une courbe d’oscillation sur une face d’oxyde de magnésium (200) est comprise entre 0,005 et 0,025 degré. Elle concerne aussi un procédé de fabrication d’un matériau de déposition en phase gazeuse à simple cristal et oxyde de magnésium comprenant la phase de désintégration d’un oxyde de magnésium à simple cristal. Dans la phase de désintégration, un impacteur à lame peut entrer en collision à un angle de -5 à +5 degrés par rapport à l’orientation de face d’oxyde de magnésium (100) à des fins de clivage.
(JA) 電子ビーム蒸着法をはじめとする真空蒸着法を使用して基板上にMgO膜を成膜するためにターゲット材として使用する単結晶MgO蒸着材であって、蒸着時の成膜速度を低減することなく、スプラッシュの発生を防止し、優れた膜特性例えばPDP用保護膜として使用した場合の放電特性などを向上させること。酸化マグネシウム(200)面のロッキングカーブの半価幅が、0.005~0.025degreeである酸化マグネシウム単結晶蒸着材、及び、酸化マグネシウム単結晶を解砕する工程を含む酸化マグネシウム単結晶蒸着材の製造方法であって、前記解砕工程が、酸化マグネシウム(100)面方位に対し、-5~+5degreeの範囲内の角度で刃形状の衝撃体を衝突させることにより劈開する工程を含む方法。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)