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1. (WO2006080322) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080322    International Application No.:    PCT/JP2006/301087
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 18.01.2006
IPC:
H01L 27/04 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP) (For All Designated States Except US).
TSURUME, Takuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: TSURUME, Takuya; (JP)
Priority Data:
2005-022191 28.01.2005 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE POUR FABRIQUER CELUI-CI
Abstract: front page image
(EN)An object of the prevent invention is to provide a semiconductor device having a conductive film, which sufficiently serves as an antenna, and a method for manufacturing thereof. The semiconductor device has an element formation layer including a transistor, which is provided over a substrate, an insulating film provided on the element formation layer, and a conductive film serving as an antenna, which is provided on the insulating film. The insulating film has a groove. The conductive film is provided along the surface of the insulating film and the groove. The groove of the insulating film may be provided to pass through the insulating film. Alternatively, a concave portion may be provided in the insulating film so as not to pass through the insulating film. A structure of the groove is not particularly limited, and for example, the groove can be provided to have a tapered shape, etc.
(FR)Un objet de la présente invention est de mettre à disposition un dispositif à semi-conducteur ayant un film conducteur, qui fait suffisamment office d’antenne, et un procédé pour fabriquer celui-ci. Le dispositif à semi-conducteur a une couche de formation d’élément comprenant un transistor, qui est disposée sur un substrat, un film isolant disposé sur la couche de formation d’élément, et un film conducteur faisant office d’antenne, qui est disposé sur le film isolant. Le film isolant a une rainure. Le film conducteur est disposé le long de la surface du film isolant et de la rainure. La rainure du film isolant peut être disposée pour traverser le film isolant. En variante, une partie concave peut être disposée dans le film isolant pour ne pas traverser le film isolant. Une structure de la rainure n’est pas particulièrement limitée, et par exemple, la rainure peut être disposée pour avoir une forme tronconique, etc.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)