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1. (WO2006080264) METHOD OF SELECTIVE ETCHING AND SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080264    International Application No.:    PCT/JP2006/300928
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 23.01.2006
IPC:
H01L 21/66 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01), C30B 33/10 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01)
Applicants: Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (For All Designated States Except US).
KUME, Fumitaka [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: KUME, Fumitaka; (JP)
Agent: YOSHIMIYA, Mikio; Uenosansei Bldg. 4F, 6-4 Motoasakusa 2-chome, Taito-ku Tokyo 1110041 (JP)
Priority Data:
2005-020094 27.01.2005 JP
Title (EN) METHOD OF SELECTIVE ETCHING AND SILICON SINGLE CRYSTAL SUBSTRATE
(FR) PROCEDE D’ATTAQUE CHIMIQUE SELECTIVE ET SUBSTRAT MONOCRISTALLIN EN SILICIUM
(JA) 選択エッチング方法及びシリコン単結晶基板
Abstract: front page image
(EN)A method of selective etching, characterized in that a silicon single crystal substrate of < 10 mΩ ⋅ cm electric resistivity is etched with the use of a selective etchant containing at least, in terms of volume composition, 0.02 to 0.1 of hydrofluoric acid, 0.5 to 0.6 of nitric acid, 0.2 to 0.25 of acetic acid and water at a rate greater than 0.1 µm/min so as to manifest BMD on the surface of the silicon single crystal substrate. Thus, there can be provided a method of selective etching, in which the characteristics of crystal defects, in particular, BMD of ultralow resistivity silicon single crystal substrate of < 10 mΩ ⋅ cm electric resistivity whose easy detection has been infeasible can be assessed and utilized through the selective etching using a chromium-free etchant wherein no harmful chromium is contained.
(FR)La présente invention concerne un procédé d’attaque chimique sélective, caractérisé en ce qu’un substrat monocristallin en silicium de résistivité électrique < 10 mΩ ⋅ cm est attaqué chimiquement en utilisant un agent d’attaque chimique contenant au moins, en termes de composition volumique, 0,02 à 0,1 d’acide fluorhydrique, 0,5 à 0,6 d’acide nitrique, 0,2 à 0,25 d’acide acétique et de l’eau à un taux supérieur à 0,1 µm/min de manière à montrer des microdéfauts volumiques (BMD) sur la surface du substrat monocristallin en silicium. Ainsi, on peut proposer un procédé d’attaque chimique sélective, dans lequel les caractéristiques des défauts cristallins, en particulier les BMD du substrat monocristallin en silicium à résistivité extrêmement faible de résistivité électrique < 10 mΩ ⋅ cm dont la détection facile n’a pas pu être faite peuvent être évaluées et utilisées au moyen de l’attaque chimique sélective en utilisant un agent d’attaque chimique dépourvu de chrome ne contenant pas de chrome dangereux.
(JA) 容量組成が、0.02以上0.1以下のフッ酸と、0.5以上0.6以下の硝酸と、0.2以上0.25以下の酢酸と、水とを少なくとも含有する選択エッチング液を用いて、電気抵抗率が10mΩ・cm未満のシリコン単結晶基板を0.1μm/minより大きな速度でエッチングし、前記シリコン単結晶基板の表面にBMDを顕在化させることを特徴とする選択エッチング方法。これにより、従来容易には検出することができなかった電気抵抗率が10mΩ・cm未満である超低抵抗のシリコン単結晶基板の結晶欠陥、特にBMDの特性を、有害なクロムを含有しないクロムレスのエッチング液を用いて選択エッチングすることにより評価し、利用することを可能にする、選択エッチング方法が提供される。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)