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1. (WO2006080226) PROCESS FOR PRODUCING MICROMACHINE, AND MICROMACHINE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080226    International Application No.:    PCT/JP2006/300709
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 19.01.2006
IPC:
H03H 3/02 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), H01L 21/302 (2006.01), H01L 41/09 (2006.01), H01L 41/18 (2006.01), H01L 41/22 (2013.01), H03H 9/17 (2006.01)
Applicants: SONY CORPORATION [JP/JP]; 1-7-1, Konan, Minato-ku, Tokyo (JP) (For All Designated States Except US).
OSAKA, Tsutomu; (For US Only).
SATO, Susumu; (For US Only)
Inventors: OSAKA, Tsutomu; .
SATO, Susumu;
Agent: NAKAMURA, Tomoyuki; c/o Miyoshi International Patent Office, Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Priority Data:
2005-020616 28.01.2005 JP
Title (EN) PROCESS FOR PRODUCING MICROMACHINE, AND MICROMACHINE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D’UNE MICROMACHINE ET MICROMACHINE
(JA) マイクロマシンの製造方法およびマイクロマシン
Abstract: front page image
(EN)A process for producing a micromachine, in which the corrosion of structure can be inhibited; and a relevant micromachine. There is provided a process for producing a micromachine, characterized by including the step of conducting patterned formation of sacrificial layer (12) of a silicon oxide material containing hydrogen fluoride dissociation species on substrate (11); the second step of forming structure (16) on the substrate (11) so as to cover the sacrificial layer (12); the third step of making hole (18) through the structure (16) covering the sacrificial layer (12), the hole (18) reaching the sacrificial layer (12); and the fourth step of introducing either hydrogen fluoride gas only or hydrogen fluoride gas plus an inert gas only through the hole (18) to thereby etch the sacrificial layer (12) with the use of the dissociation species contained in the sacrificial layer (12) with the result that a vibration space is created between the substrate (11) and the structure (16). Further, there is provided a relevant micromachine.
(FR)L’invention concerne un procédé de production d’une micromachine permettant d’inhiber la corrosion de la structure ; elle concerne également la micromachine correspondante. Ledit procédé est caractérisé en ce qu’il inclut : une première étape consistant à former sur le substrat (11) une couche sacrificielle (12) à motif d’un matériau à l’oxyde de silicium contenant une espèce issue de la dissociation du fluorure d’hydrogène ; une seconde étape consistant à former une structure (16) sur le substrat (11) afin de recouvrir la couche sacrificielle (12) ; une troisième étape consistant à percer un trou (18) à travers la structure (16) recouvrant la couche sacrificielle (12), ledit trou (18) allant jusqu’à la couche sacrificielle (12) ; et une quatrième étape consistant à introduire du fluorure d'hydrogène gazeux, seul ou avec un gaz inerte, dans le trou (18), de manière à attaquer la couche sacrificielle (12) en utilisant l’espèce de dissociation contenue dans la couche sacrificielle (12). Il en résulte la création d’un espace vibratoire entre le substrat (11) et la structure (16). L’invention concerne en outre une micromachine correspondante.
(JA) 構造体の腐蝕が抑制されたマイクロマシンの製造方法およびマイクロマシンを提供する。基板11上に弗化水素の解離種が含有されたシリコン酸化物系材料を有する犠牲層12をパターン形成する工程と、犠牲層12を覆う状態で、基板11上に、構造体16を形成する第2工程と、犠牲層12上の構造体16に、犠牲層12まで達する孔部18を形成する第3工程と、孔部18から弗化水素ガスのみまたは弗化水素ガスと不活性ガスのみを導入し、犠牲層12中の解離種を用いて犠牲層12のエッチングを行うことで、基板11と構造体16との間に振動空間を形成する第4工程とを有することを特徴とするマイクロマシンの製造方法およびマイクロマシンである。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)