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1. (WO2006080099) PHOTODIODE HAVING HETERO-JUNCTION BETWEEN SEMI-INSULATING ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080099    International Application No.:    PCT/JP2005/011047
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 16.06.2005
Chapter 2 Demand Filed:    22.08.2006    
IPC:
H01L 31/109 (2006.01)
Applicants: KODENSHI CORPORATION [JP/JP]; 30, Makishima-cho Jyuhachi, Uji-shi, Kyoto 6110041 (JP) (For All Designated States Except US).
SHIMIZU, Katsuya [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SHIMIZU, Katsuya; (JP)
Agent: TAKEISHI, Yasuhiko; Minori Patent Agency, Chiyoda Seimei Kyoto Oike Bldg. 8F, 200, Takamiya-cho, Oike-dori Takakura, Nishi-iru, Nakagyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 604-0835 (JP)
Priority Data:
2005-016555 25.01.2005 JP
Title (EN) PHOTODIODE HAVING HETERO-JUNCTION BETWEEN SEMI-INSULATING ZINC OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM AND SILICON
(FR) PHOTODIODE COMPORTANT UNE HETEROJONCTION ENTRE LA COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE D’OXYDE DE ZINC SEMI-ISOLANTE ET LE SILICIUM
(JA) 半絶縁性酸化亜鉛半導体薄膜とシリコンとのヘテロ接合を有する光ダイオード
Abstract: front page image
(EN)A photodiode which eliminates sensitivity reduction in a short wavelength region such as blue, an unavoidable problem posed by doping, resolves response reduction by the scattering of acceptor ions of impurities due to doping of impurities at the same time, and has very high sensitivity and fast response in a UV-IR range. A photodiode having a hetero-junction between a semi-insulating zinc oxide semiconductor thin film and silicon and comprising, basically, n-type silicon (1) and a semi-insulating zinc oxide semiconductor thin film (3) formed on the n-type silicon, characterized in that the n-type silicon forms a cathode region, and the formation of a semi-insulating zinc oxide semiconductor thin film produces a p-type inversion layer (4) at the upper portion of the n-type silicon in contact with the semi-insulating zinc oxide semiconductor thin film, the p-type inversion layer forming a photo-detection region and an anode region.
(FR)La présente invention concerne une photodiode qui élimine la réduction de sensibilité dans une région de longueur d'onde courte telle que le bleu, un problème inévitable posé par le dopage, résout la réduction de réponse par la diffusion d’ions accepteurs d’impuretés dues au dopage d’impuretés en même temps et présente une sensibilité très élevée et une réponse rapide dans une plage UV-IR. La présente invention concerne une photodiode comportant une hétérojonction entre une couche mince semi-conductrice d’oxyde de zinc semi-isolante et le silicium et comprenant, fondamentalement, du silicium de type n (1) et une couche mince semi-conductrice d’oxyde de zinc semi-isolante (3) formée sur le silicium de type n, caractérisée en ce que le silicium de type n forme une région de cathode ; elle comprend également la formation d’une couche mince semi-conductrice d’oxyde de zinc semi-isolante qui produit une couche d’inversion de type p (4) au niveau de la partie supérieure du silicium de type n en contact avec ladite couche mince, ladite couche d’inversion formant une région de photodétection et une région d’anode.
(JA) ドープすることによる避けられない問題点である、ブルーなどの短波長域での感度低下をなくし、且つ、不純物をドープすることによる、その不純物のアクセプターイオンの散乱による応答性の低下を同時に解決し、紫外から赤外まで極めて高い感度と高速応答性を兼ね備えた光ダイオードを提供するものであり、基本的には、n型シリコン1と前記n型シリコン上に形成される半絶縁性酸化亜鉛半導体薄膜3とを有し、n型シリコンがカソード領域であり、半絶縁性酸化亜鉛半導体薄膜の成膜によって、半絶縁性酸化亜鉛半導体薄膜に接するn型シリコンの上部にp型反転層4を生じせしめ、p型反転層が受光部領域であって、且つ、アノード領域であることを特徴とする半絶縁性酸化亜鉛半導体薄膜とシリコンとのヘテロ接合を有する光ダイオード。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)