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1. (WO2006080064) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/080064    International Application No.:    PCT/JP2005/001084
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 27.01.2005
Chapter 2 Demand Filed:    24.11.2006    
IPC:
H01L 21/8247 (2006.01), G11C 16/04 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Applicants: SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place, P.O.Box 3453, Sunnyvale California 940883453 (US) (For All Designated States Except US).
Spansion Japan Limited [JP/JP]; 6, Kogyodanchi, Monden-machi, Aizuwakamatsu-shi, Fukushima 9650845 (JP) (For All Designated States Except US).
SUGISAKI, Masao [JP/JP]; (JP) (For US Only).
KABASHIMA, Katsuhiko [JP/JP]; (JP) (For US Only).
TANAKA, Toshiyuki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: SUGISAKI, Masao; (JP).
KABASHIMA, Katsuhiko; (JP).
TANAKA, Toshiyuki; (JP)
Agent: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor device and equipment for manufacturing same are provided with a semiconductor substrate (200) having a source region (210) and a drain/cathode common region (220); a gate (240) formed on the semiconductor substrate; a diode wherein a cathode is connected with a drain in the drain/cathode common region; and a bit line (260) connected with an anode (222) of the diode. Thus, a potential difference between a connecting hole (265) and a control gate (240) is reduced for data erasure, and short-circuit is eliminated in a region (245) between the connecting hole (265) and the control gate (240). As a result, the region between the connecting hole and the control gate is microminiaturized, and a nonvolatile memory wherein a memory cell is microminiaturized can be provided.
(FR)Dispositif à semi-conducteur et équipement pour fabriquer celui-ci, ledit dispositif présentant un substrat semi-conducteur (200) ayant une région source (210) et une région commune de drain/cathode (220); une grille (240) formée sur le substrat semi-conducteur; une diode dont la cathode est connectée avec un drain dans la région commune de drain/cathode; et une ligne de bits (260) connectée à une anode (222) de la diode. Ainsi, une différence de potentiel entre un orifice de connexion (265) et une grille de commande (240) est réduite pour un effacement de données, et un court-circuit est éliminé dans une région (245) entre l'orifice de connexion (265) et la grille de commande (240). En conséquence, la région entre l'orifice de connexion et la grille de commande est micro-miniaturisée, et une mémoire non volatile dans laquelle une cellule de mémoire est micro-miniaturisée peut être mise à disposition.
(JA) 本発明の半導体装置およびその製造装置は、ソース領域(210)およびドレイン・カソード共通領域(220)を有する半導体基板(200)と、半導体基板上に形成されたゲート(240)と、カソードがドレイン・カソード共通領域においてドレインに接続されたダイオードと、ダイオードのアノード(222)に接続されたビットライン(260)を具備する。  これにより、データ消去の際の、接続孔(265)と制御ゲート(240)の電位差を小さくし、接続孔(265)と制御ゲート(240)の間の領域(245)において、短絡が発生することを防止する。この結果、接続孔と制御ゲート間の微細化が図れ、メモリセルを微細化可能な不揮発性メモリを提供することができる。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)