WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2006079979) A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/079979    International Application No.:    PCT/IB2006/050269
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 25.01.2006
IPC:
H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/3105 (2006.01)
Applicants: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (For All Designated States Except US).
AVIZA TECHNOLOGY, LTD. [GB/GB]; Ringland Way, Newport South Wales NP18 2TA (GB) (GB only).
FURUKAWA, Yukiko [JP/BE]; (NL) (For US Only).
MACNEIL, John [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: FURUKAWA, Yukiko; (NL).
MACNEIL, John; (GB)
Agent: PENNINGS, Johannes; NXP Semiconductors, IP Department, High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL)
Priority Data:
60/647,991 27.01.2005 US
Title (EN) A METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)This invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device. In this method, a semiconductor device is provided comprising a substrate (10), the substrate (10) being covered with a low-k precursor layer (20) having a surface (25). After this step, a partial curing step is performed in which a dense layer (30) is formed at or near the surface (25) of a low-k precursor layer (20). This dense layer (30) can act as a protective layer (30). The low-k precursor material (20) is chosen from a group of materials having the property that they are applicable in a non-cured or partially cured state. The main advantage of this method is that no separate protective layer (30) needs to be provided to the low-k precursor layer (20), because the dense layer (30) is formed out of the low-k precursor layer (20) itself. The dense layer (30) therefore has a good adhesion to the low-k precursor layer (20).
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un dispositif à semi-conducteur. Selon ce procédé, un dispositif à semi-conducteur comprend un substrat (10). Ce substrat (10) est recouvert d'une couche de fibres polymères de départ à faible permittivité relative (20) dotée d'une surface (25). Ensuite, on effectue une étape de cuisson partielle dans laquelle une couche dense (30) est formée au niveau ou à proximité de la surface (25) d'une couche de fibres polymères de départ à faible permittivité relative (20). Cette couche dense (30) agit comme une couche de protection (30). Le matériau de fibres polymères de départ à faible permittivité relative (20) est choisi dans un groupe de matériaux pouvant être appliqués à l'état non cuit ou partiellement cuit. Le principal avantage de ce procédé est que la couche de fibres polymères de départ à faible permittivité relative (20) ne nécessite pas de couche de protection (30) distincte, la couche dense (30) étant constituée de la couche de fibres polymères de départ à faible permittivité relative (20) elle-même. La couche dense (30) a ainsi une bonne adhérence vis-à-vis de la couche de fibres polymères de départ à faible permittivité relative (20).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)