WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO2006079874) IDEAL CMOS SRAM SYSTEM IMPLEMENTATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/079874    International Application No.:    PCT/IB2005/001931
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 23.06.2005
Chapter 2 Demand Filed:    05.01.2006    
IPC:
G11C 11/412 (2006.01), G11C 11/413 (2006.01), G11C 5/14 (2006.01)
Applicants: FOULI, Bassem, Mohamed [EG/EG]; (EG)
Inventors: FOULI, Bassem, Mohamed; (EG)
Priority Data:
Title (EN) IDEAL CMOS SRAM SYSTEM IMPLEMENTATION
(FR) MISE EN OEUVRE D'UN SYSTEME SRAM CMOS IDEAL
Abstract: front page image
(EN)CMOS static RAM based memory system, which reduces power consumption and increases operation speed by disconnecting cell power supply during write operation. Additional transistors are provided between sources of the SRAM cell transistors and supply voltage or ground voltage connection. These are switched off during write, in order to interrupt a dynamic current path to supply or to ground. Additionally, implementation of inductive elements into the power supply can help to reduce current spikes during switching.
(FR)L'invention concerne une nouvelle approche destinée à introduire un système de mémoire basé sur une mémoire vive (RAM) statique CMOS, par ajout de seulement quelques composants à un ou plusieurs mots de mémoire, les composants ajoutés permettant d'obtenir une cellule de mémoire avec les propriétés suivantes: une émission de puissance faible due au courant dynamique d'amortissement, des points d'entrée/sortie forts de résistivité élevée à chaque interférence dans le cas de fréquences hautement fonctionnelles, d'une réponse à fréquence supérieure due à l'absence de composants résistants dans le flux de courant dynamique le rendant idéal pour une utilisation à des fréquences élevées.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)