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1. (WO2006079758) METHOD OF PRODUCING A SILICON OXIDE-BASED MATERIAL WITH A LOW DIELECTRIC CONSTANT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/079758    International Application No.:    PCT/FR2006/050067
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 27.01.2006
IPC:
H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE [FR/FR]; 3, rue Michel Ange, F-75794 Paris Cedex 16 (FR) (For All Designated States Except US).
NTSOENZOK, Esidor [FR/FR]; (FR) (For US Only).
ASSAF, Hanan [LB/FR]; (FR) (For US Only).
RUAULT, Marie-odile [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: NTSOENZOK, Esidor; (FR).
ASSAF, Hanan; (FR).
RUAULT, Marie-odile; (FR)
Agent: DE BEAUMONT, Michel; Cabinet Beaumont, 1, rue Champollion, F-38000 Grenoble (FR)
Priority Data:
0550253 28.01.2005 FR
Title (EN) METHOD OF PRODUCING A SILICON OXIDE-BASED MATERIAL WITH A LOW DIELECTRIC CONSTANT
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN MATERIAU A BASE D'OXYDE DE SILICIUM ET A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)The invention relates to a method of producing a material (60) with a low dielectric constant, comprising a step consisting in forming cavities (66) in the silicon dioxide with the implantation of a rare gas other than helium or neon. The invention also relates to a component comprising metallic tracks and regions separating same, said regions containing silicon dioxide having a low dielectric constant and comprising cavities (66) which are formed with the implantation of a rare gas other than helium or neon at an implantation dose of greater than 1016 atoms/cm2.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau (60) à faible constante diélectrique, comprenant une étape de formation de cavités (66) dans du dioxyde de silicium par implantation d'un gaz rare différent de l'hélium et du néon. L'invention concerne également un composant comprenant des pistes métalliques et des régions séparant lesdites pistes métalliques, lesdites régions contenant du dioxyde de silicium à faible constante diélectrique comprenant des cavités (66) formées par implantation d'un gaz rare différent de l'hélium et du néon à une dose d'implantation supérieure à 1016 atomes/cm2.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)