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1. (WO2006079529) METHOD FOR REMOVING DEFECTIVE MATERIAL FROM A LITHOGRAPHY MASK
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/079529    International Application No.:    PCT/EP2006/000660
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 26.01.2006
IPC:
G03F 1/00 (2012.01)
Applicants: QIMONDA AG [DE/DE]; Gustav-Heinemann-Ring 212, 81739 München (DE) (For All Designated States Except US).
CRELL, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
NOELSCHER, Christoph [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VERBEEK, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: CRELL, Christian; (DE).
NOELSCHER, Christoph; (DE).
VERBEEK, Martin; (DE)
Agent: WILHELM, Jürgen; Wilhelm & Beck, Nymphenburger Str. 139, 80636 München (DE)
Priority Data:
10 2005 004 070.5 28.01.2005 DE
Title (DE) VERFAHREN ZUM ENTFERNEN VON DEFEKTMATERIAL EINER LITHOGRAPHIEMASKE
(EN) METHOD FOR REMOVING DEFECTIVE MATERIAL FROM A LITHOGRAPHY MASK
(FR) PROCEDE D'ELIMINATION D'UNE MATIERE RESIDUELLE SUR UN MASQUE DE LITHOGRAPHIE
Abstract: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Defektmaterial in einem transmittierenden Bereich einer Lithographiemaske, welche transmittierendes Trägermaterial und Absorbermaterial aufweist. In einem ersten Verfahrensschritt wird Defektmaterial und Absorbermaterial in einem Bearbeitungsbereich entfernt. In einem zweiten Verfahrensschritt wird ein absorbierendes Material in einem Außenbereich aufgebracht, wobei der Außenbereich von dem Teilbereich des Bearbeitungsbereich abhängt, der zuvor mit Absorbermaterial bedeckt war.
(EN)The invention relates to a method for removing defective material in a transmitting region of a lithography mask that has transmitting supporting material and absorbing material. In a first method step, defective material and absorbing material are removed in a processing area. In a second method step, an absorbent material is applied in an outer area, this outer area being dependent on the partial area of the processing area that was previously covered with absorbing material.
(FR)L'invention concerne un procédé pour éliminer une matière résiduelle se trouvant dans une zone émettrice d'un masque de lithographie qui présente une matière support émettrice et une matière d'absorption. Une première étape de ce procédé consiste à éliminer la matière résiduelle et la matière d'absorption dans une zone de traitement. Une seconde étape consiste à appliquer une matière absorbante dans une zone extérieure, cette zone extérieure dépendant de la zone partielle de la zone de traitement qui était précédemment recouverte par la matière d'absorption.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)