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1. (WO2006079422) PROTECTIVE CIRCUIT IN A POWER SUPPLY INLET OF AN ELECTRIC DEVICE AND USE OF SAID PROTECTIVE CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/079422    International Application No.:    PCT/EP2005/053799
Publication Date: 03.08.2006 International Filing Date: 03.08.2005
IPC:
H02H 7/18 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
BAHR, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SIEBERT, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: BAHR, Michael; (DE).
SIEBERT, Christian; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Priority Data:
10 2005 003 682.1 26.01.2005 DE
Title (DE) SCHUTZSCHALTUNG IN EINEM STROMVERSORGUNGSEINGANG EINER ELEKTRISCHEN EINRICHTUNG UND VERWENDUNG EINER SCHUTZSCHALTUNG
(EN) PROTECTIVE CIRCUIT IN A POWER SUPPLY INLET OF AN ELECTRIC DEVICE AND USE OF SAID PROTECTIVE CIRCUIT
(FR) CIRCUIT PROTECTEUR DANS UNE ENTRÉE D'ALIMENTATION ÉLECTRIQUE D'UN DISPOSITIF ÉLECTRIQUE ET UTILISATION D'UN CIRCUIT PROTECTEUR
Abstract: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Schutzschaltung für einen Stromversorgungseingang einer elektrischen Einrichtung, mit einem ersten Metall-Oxid-Halbleiterbauteil-Feldeffekttransistor, wobei die Schutzschaltung zumindest einen zweiten Metall-Oxid-Halbleiterbauteil-Feldeffekttransistor sowie ein Schaltungselement aufweist. Ferner betrifft die Erfindung die Verwendung einer derartigen Schutzschaltung.
(EN)The invention relates to a protective circuit for a power supply inlet of an electric device, said protective circuit comprising a first metal-oxide semiconductor field-effect transistor. The inventive protective circuit is characterized by comprising at least one second metal-oxide semiconductor field-effect transistor and a circuit element. The invention also relates to the use of such a protective circuit.
(FR)L'invention concerne un circuit protecteur pour une entrée d'alimentation électrique d'un dispositif électrique, ce circuit comportant un premier transistor à effet de champ à élément semi-conducteur d'oxyde métallique, au moins un deuxième transistor à effet de champ à élément semi-conducteur d'oxyde métallique et un élément de circuit. La présente invention porte également sur l'utilisation d'un circuit protecteur de ce type.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)