(EN) A gallium nitride-based semiconductor stacked structure includes a single crystal substrate, a low-temperature buffer layer grown at a low temperature in a region contiguous to the single crystal substrate and a gallium nitride-based semiconductor layer overlying the low-temperature buffer layer. The low-temperature buffer layer possesses therein a single crystal layer formed of a hexagonal A1XGaϝN-based Group III nitride material containing gallium predominantly over aluminum, wherein 0.5 < ϝ ≤ 1 and X + ϝ = 1. The single crystal layer has crystal defects at a smaller density on a (1.0.-1.0.) crystal face than on a (1.1.-2.0.) crystal face. A method for the production of the gallium nitride-based semiconductor stacked structure includes forming on a single crystal substrate a low-temperature buffer layer grown at a low temperature falling in a range of 250°C to 500°C, forming a gallium nitride-based semiconductor layer on the low-temperature buffer layer and forming in the low-temperature buffer layer a single crystal layer made of a hexagonal AlXGaϝN-based Group III nitride material containing gallium predominantly over aluminum, in which 0.5 < ϝ ≤1,X + ϝ = 1, by causing gallium raw material to reach the surface of the substrate before aluminum raw material.
(FR) L’invention concerne une structure empilée semi-conductrice à base de nitrure de gallium comprenant un substrat de simple cristal, une couche tampon basse température cultivée à basse température dans une région contiguë du substrat de simple cristal et une couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium recouvrant la couche tampon basse température. A l’intérieur de la couche tampon basse température se trouve une couche de simple cristal constituée d’un matériau hexagonal de nitrure de groupe III à base de A1XGaϝN contenant du gallium principalement sur de l’aluminium, où 0,5 < ϝ ≤ 1 et X + ϝ = 1. La couche de simple cristal présente des défauts cristallins d’une densité plus petite sur une face de cristal (1.0.-1.0.) que sur une face de cristal (1.1.-2.0.). L’invention porte sur un procédé de fabrication de la structure empilée semi-conductrice à base de nitrure de gallium consistant à former sur un substrat de simple cristal une couche tampon basse température cultivée à une basse température entrant dans une fourchette de 250°C à 500°C, à élaborer une couche semi-conductrice à base de nitrure de gallium sur la couche tampon basse température et à constituer dans la couche tampon basse température une couche de simple cristal faite d’un matériau de nitrure de groupe III à base de AlXGaϝN contenant du gallium principalement sur de l’aluminium, où 0,5 < ϝ ≤1,X + ϝ = 1, en faisant en sorte que la matière première de gallium atteigne la surface du substrat avant la matière première d’aluminium.
