(EN) A ferromagnetic film which comprises a ferromagnetic element and a non-magnetic element and has a first portion and a second portion, wherein the first portion has a concentration of a non-magnetic element lower than the average concentration of the non-magnetic element in the ferromagnetic film, and the second portion has a concentration of a non-magnetic element higher than the average concentration of the non-magnetic element in the ferromagnetic film, and wherein the non-magnetic element comprises at least one element selected from the group consisting of Zr, Ti, Nb, Ta, Hf, Mo and W. The above ferromagnetic film is applied to a magnetic free layer of a magnetic resistance element in MRAM.
(FR) L’invention concerne un film ferromagnétique comprenant un élément ferromagnétique et un élément non magnétique, possédant une première portion et une seconde portion, ladite première portion ayant une concentration d’un élément non magnétique inférieure à la concentration moyenne de l’élément non magnétique dans le film ferromagnétique, et la seconde portion ayant une concentration d’un élément non magnétique supérieure à la concentration moyenne de l’élément non magnétique dans le film ferromagnétique, et l’élément non magnétique comprenant au moins un élément sélectionné parmi le groupe consistant en Zr, Ti, Nb, Ta, Hf, Mo et W. Le film ferromagnétique ci-dessus est appliqué à une couche libre magnétique d’un élément de résistance magnétique dans une MRAM.
(JA) 本発明に係る強磁性膜は、強磁性元素と非磁性元素とを含み、第1部分と第2部分とを有する。第1部分における非磁性元素の濃度は、強磁性膜中に占める非磁性元素の平均濃度より低い。一方、第2部分における非磁性元素の濃度は、強磁性膜中に占める非磁性元素の平均濃度より高い。また、非磁性元素は、Zr,Ti,Nb,Ta,Hf,Mo,Wからなる群から選択される少なくとも一種類の元素を含む。この強磁性膜は、MRAM中の磁気抵抗素子が有する磁化自由層に適用される。