(DE) Die Erfindung betrifft ein Halbleiterschaltmodul (1), mit ei¬ nem in Planar-Technologie ausgeführten Leistungshalbleiter¬ element (210,310) und einem, das Leistungshalbleiterelement (210,310) zumindest auf einer Seite (10) vollständig um¬ schließenden Modulgehäuse (220,320) . Dabei ist an zwei, sich im Wesentlichen gegenüberliegenden Stellen des Modulgehäuses (220,320) jeweils zumindest eine Öffnung (220 Λ,220 Λ Λ, 320 Λ, 320 Λ Λ) so vorgesehen, dass zum Kühlen des Leistungshalbleiterelements (210,310) eine Luftströmung über der Seite (10) des Leistungshalbleiterelements (210,310) be- wirkt wird, die vom Modulgehäuse (220,320) umschlossen ist.
(EN) The invention relates to a semiconductor switching module (1) comprising a power semiconductor element (210, 310) with a planar configuration and a module housing (220, 320) that completely surrounds at least one face (10) of the power semiconductor element (210, 310). At least one opening (220', 220'', 320', 320'') is provided at two respective, essentially opposing points of the module housing (220, 320) in such a way that to cool the power semiconductor component (210, 310), an air stream flows over the face (10) of the power semiconductor element (210, 310) that is surrounded by the module housing (220, 320).
(FR) L'invention concerne un module commutateur semi-conducteur (1) comprenant un élément semi-conducteur de puissance (210,310) réalisé selon la technologie planaire et un boîtier (220,320) de module entourant entièrement l'élément semi-conducteur de puissance (210,310) au moins sur une face (10). En deux emplacements sensiblement opposés du boîtier (220,320) de module, se trouve au moins une ouverture (220',220'', 320', 320''), de sorte que le refroidissement de l'élément semi-conducteur de puissance (210,310) est assuré par un flux d'air s'écoulant sur la face (10) de l'élément semi-conducteur de puissance (210,310) qui est entourée par le boîtier (220,320) de module.