(EN) A plasma processing method and apparatus capable of enhancing the uniformity of crystalline-to-amorphous transformation. While introducing a predetermined gas through a gas inlet port (11) into a vacuum vessel (1) from gas supply (2), the gas in the vacuum vessel (1) is discharged through a discharge port (12) by means of a turbo molecular pump (3) serving as an evacuating device, and the pressure in the vacuum vessel (1) is kept at a predetermined pressure by a pressure regulating valve (4). High-frequency power of 13.56 MHz is supplied to a coil (8) provided near a dielectric window (7) opposed to a sample electrode (6) by a high-frequencypower supply (5), and inductive-coupling plasma is produced in the vacuum vessel (1). A high-frequency power supply (10 for supplying high-frequency power to the sample electrode (6) is provided and functions as a voltage source for controlling the potential of the sample electrode (6). By devising the constitution of the sample electrode (6), the crystalline layer in the surface of a silicon substrate (9) could be transformed into an amorphous one uniformly.
(FR) L’invention concerne un procédé de traitement au plasma et un appareil capable d’augmenter l’uniformité de la transformation de couche cristalline en couche amorphe. Tout en introduisant un gaz prédéterminé à travers un orifice d’injection de gaz (11) dans une cuve sous pression (1) depuis une arrivée de gaz (2), le gaz dans la cuve sous pression (1) est refoulé à travers un orifice de décharge (12) à l’aide d’une pompe turbo moléculaire (3) faisant office de dispositif d’évacuation, et la pression dans la cuve sous pression (1) est maintenue à une pression prédéterminée par une valve de régulation de pression (4). Une alimentation haute fréquence de 13,56 MHz est injectée dans une bobine (8) disposée près d’une fenêtre diélectrique (7) opposée à une électrode échantillon (6) par une alimentation haute fréquence (5), et un plasma de couplage à induction est produit dans la cuve sous pression (1). Une alimentation haute fréquence (10) permet d’injecter une alimentation haute fréquence dans l’électrode échantillon (6) et sert de source de tension pour contrôler le potentiel de l’électrode échantillon (6). La conception de la constitution de l’électrode échantillon (6) permet de transformer la couche cristalline dans la surface d’un substrat de silicium (9) en couche amorphe de manière uniforme.
(JA) 非晶質化処理の均一性を高めることが可能なプラズマ処理方法および装置を提供する。
真空容器1内に、ガス供給装置2からガス導入口11を介して所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのターボ分子ポンプ3により排気口12を介して排気を行い、調圧弁4により真空容器1内を所定の圧力に保つ。高周波電源5により13.56MHzの高周波電力を試料電極6に対向した誘電体窓7の近傍に設けられたコイル8に供給することにより、真空容器1内に誘導結合型プラズマを発生させる。試料電極6に高周波電力を供給するための高周波電源10が設けられており、これは、試料電極6の電位を制御する電圧源として機能する。試料電極6の構成を工夫することにより、シリコン基板9の表面の結晶層を均一に非晶質化することができた。