(EN) Disclosed herein is a plasma source which can create plasma within a reaction chamber to process a semiconductor wafer. The plasma source comprises a bushing equipped at an upper center of the reaction chamber, and a plurality of source coils linearly extending from the bushing to a periphery of the reaction chamber. With the linear source coils, it is possible to prevent deviation in magnetic field from the center to the periphery of the plasma source in the radial direction, resulting in easy control of critical dimensions and uniform etching rate both at the center and periphery of the reaction chamber.
(FR) La présente invention concerne une source de plasma capable de produire du plasma dans une chambre de réaction de façon à traiter une plaquette à semi-conducteurs. La source de plasma comprend une douille montée au centre supérieur de la chambre à plasma, et une pluralité de bobines sources disposées en ligne de la douille vers la périphérie de la chambre de réaction. L'alignement des bobines sources permet d'éviter la déviation radiale du champ magnétique du centre vers la périphérie de la source de plasma, ce qui permet de gérer facilement les dimensions critiques et la vitesse uniforme d'érosion au centre et à la périphérie de la chambre de réaction.