(EN) An easy-to-manufacture multivalent ion generation source exhibiting excellent operability and maintainability while having a high degree of ionization and a high beam intensity, and a charged particle beam apparatus employing it. The multivalent ion generation source comprises an ion source electrode (3) consisting of an electron source (4), a drift tube (5) to be an ion trap region and a collector (6), a superconducting magnet (11) for trapping ions, ion introduction means (20, 22), a first vacuum container (2) containing the ion source electrode (3), a second vacuum container (10) containing the superconducting magnet (11), and vacuum exhausters (15, 16) respectively arranged for the first and second vacuum containers. The first and second vacuum containers (2, 10) are removable and can easily bake only the ion source electrode (3) requiring extremely high vacuum.
(FR) L’invention concerne une source de production ionique multivalente facile à fabriquer, excellente en matière de manipulation et de maintenance, avec un degré élevé de ionisation et une intensité de faisceau élevée, et un appareil à faisceau de particules chargées utilisant ladite source. La source de production ionique multivalente comprend une électrode à source ionique (3) consistant en une source électronique (4), un tube de migration (5) devant constituer une région de piégeage ionique et un collecteur (6), un aimant supraconducteur (11) pour piéger des ions, un moyen d’introduction ionique (20, 22), un premier conteneur dépressurisé (2) contenant l’électrode à source ionique (3), un second conteneur dépressurisé (10) contenant l’aimant supraconducteur (11), et des circuits de purge de vide (15, 16) disposés respectivement pour le premier conteneur dépressurisé et le second conteneur dépressurisé. Le premier conteneur dépressurisé et le second conteneur dépressurisé (2, 10) sont amovibles et peuvent facilement cuire uniquement l’électrode à source ionique (3) exigeant un vide extrêmement élevé.
(JA) 製造が容易で、操作性及び保守性に優れ、電離度が高く、ビーム強度の大きい多価イオン発生源とそれを用いた荷電粒子ビーム装置であって、多価イオン発生源は、電子源（４）とイオン閉じ込め領域となるドリフトチューブ（５）とコレクタ（６）とからなるイオン源電極（３）と、イオン閉じ込めのための超伝導磁石（１１）と、イオン導入手段（２０，２２）と、さらにイオン源電極（３）を収容した第１の真空容器（２）と、超伝導磁石（１１）を収容した第２の真空容器（１０）と、第１の真空容器及び第２の真空容器にそれぞれ配設した真空排気装置（１５，１６）とで成る。第１の真空容器（２）と第２の真空容器（１０）は着脱可能であり、極高真空が必要なイオン源電極（３）のみを容易にベーキングできる。