(EN) Described techniques extend (e.g., by a factor of 2) the dynamic range of voltage swing for amplifiers and other integrated circuits (e.g., buffers) that are fabricated using lower voltage rated semiconductor processes. Such processes include, for instance, thin gate oxide MOS, and other semiconductor processes that provide desirable features that are typically not associated with high voltage processes, such as increased radiation hardness, higher speed logic, and compactness. Thus, relatively large dynamic range is enabled for integrated circuits fabricated using feature-rich lower voltage rated semiconductor processes.
(FR) Les techniques de l'invention permettent d'étendre la portée dynamique d'excursion de tension (par exemple par un facteur 2) d'amplificateurs et d'autres circuits intégrés (par exemple des tampons) qui sont fabriqués via des processus de semi-conducteur qualifiés basse tension. Ces processus comprennent, par exemple, un MOS oxyde grille mince et d'autres processus de semi-conducteur fournissant des caractéristiques recherchées qui ne sont habituellement pas associées à des processus haute tension, telles qu'une résistance améliorée au rayonnement, une logique plus rapide et une compacité. Ainsi, on obtient une portée dynamique relativement grande pour des circuits intégrés fabriqués au moyen de processus de semi-conducteur qualifié basse tension aux caractéristiques multiples.