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1. WO2006035783 - HIGH FREQUENCY SWITCH AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Publication Number WO/2006/035783
Publication Date 06.04.2006
International Application No. PCT/JP2005/017771
International Filing Date 27.09.2005
IPC
H04B 1/44 2006.01
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
BTRANSMISSION
1Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/-H04B13/123; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
40Circuits
44Transmit/receive switching
H01P 1/15 2006.01
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
10for switching or interrupting
15by semiconductor devices
CPC
H01P 1/15
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
1Auxiliary devices
10for switching or interrupting
15by semiconductor devices
H04B 1/48
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
BTRANSMISSION
1Details of transmission systems, not covered by a single one of groups H04B3/00 - H04B13/00; Details of transmission systems not characterised by the medium used for transmission
38Transceivers, i.e. devices in which transmitter and receiver form a structural unit and in which at least one part is used for functions of transmitting and receiving
40Circuits
44Transmit/receive switching
48in circuits for connecting transmitter and receiver to a common transmission path, e.g. by energy of transmitter
Applicants
  • 株式会社村田製作所 MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 上嶋 孝紀 UEJIMA, Takanori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 中山 尚樹 NAKAYAMA, Naoki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventors
  • 上嶋 孝紀 UEJIMA, Takanori
  • 中山 尚樹 NAKAYAMA, Naoki
Agents
  • 森下 武一 MORISHITA, Takekazu
Priority Data
2004-28777930.09.2004JP
2004-28778030.09.2004JP
Publication Language Japanese (JA)
Filing Language Japanese (JA)
Designated States
Title
(EN) HIGH FREQUENCY SWITCH AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) COMMUTATEUR HAUTE FRÉQUENCE ET MÉTHODE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 高周波スイッチおよびその製造方法
Abstract
(EN)
A high frequency switch (11) is configured by connecting a first diode (D1) which is a switching element, a second diode (D2), inductors (SL1, SL2), capacitors (C5, C6) and a resistance (R). A diode having a relatively small charge storage quantity in the ON status is used for the first diode, and a diode having a relatively large charge storage quantity in the ON status is used for the second diode. Namely, the diodes having different part numbers are used for the first diode and the second diode, respectively, and the diode of a part number having a relatively small charge storage quantity is used for the first diode, and the diode of a part number having a relatively large charge storage quantity is used for the second diode. Alternatively, the charge storage quantities of diodes of the same lot in the ON status are measured and classified, a diode having a relatively small charge storage quantity is used for the first diode and a diode having a relatively large charge storage quantity is be used for the second diode.
(FR)
Ce commutateur haute fréquence (11) est réalisé en connectant une première diode (D1) qui est un élément de commutation, une deuxième diode (D2), les inductances (SL1, SL2), les condensateurs (C5, C6) et une résistance (R). Une diode ayant une capacité de stockage de charge relativement faible à l’état PASSANT est utilisée pour la première diode et une diode possédant ayant une capacité de stockage de charge relativement forte à l’état PASSANT est utilisée pour la deuxième diode. Il est possible d’utiliser des diodes de références et caractéristiques différentes en tant que première et deuxième diode, une diode d’une capacité de stockage de charge relativement faible étant utilisée pour la première diode et une diode d’une capacité de stockage de charge relativement forte étant utilisée pour la deuxième diode. En alternative, des diodes d’un même lot peuvent être mesurées et classées par quantité de stockage de charge à l’état PASSANT, une diode ayant une capacité de stockage de charge relativement faible étant utilisée pour la première diode et une diode ayant une capacité de stockage de charge relativement forte étant utilisée pour la deuxième diode.
(JA)
 高周波スイッチ(11)は、スイッチング素子である第1ダイオード(D1)、第2ダイオード(D2)、インダクタ(SL1),(SL2)、コンデンサ(C5),(C6)および抵抗(R)を接続して構成される。ON状態での電荷蓄積量の相対的に小さいダイオードを第1ダイオードに使用し、ON状態での電荷蓄積量の相対的に大きいダイオードを第2ダイオードに使用する。即ち、第1ダイオードと第2ダイオードのそれぞれに品番の異なるダイオードを使用し、電荷蓄積量の相対的に小さい品番のダイオードを第1ダイオードに使用し、電荷蓄積量の相対的に大きい品番のダイオードを第2ダイオードに使用する。あるいは、同一ロットの各ダイオードのON状態での電荷蓄積量を測定して分別し、電荷蓄積量の相対的に小さいダイオードを第1ダイオードに使用し、電荷蓄積量の相対的に大きいダイオードを第2ダイオードに使用してもよい。
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