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1. (WO2006019849) LOW-K DIELECTRIC ETCH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/019849    International Application No.:    PCT/US2005/024905
Publication Date: 23.02.2006 International Filing Date: 12.07.2005
IPC:
H01L 21/311 (2006.01)
Applicants: LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway, Fremont, CA 94438-6470 (US) (For All Designated States Except US).
KANG, Sean, S. [KR/US]; (US) (For US Only).
HUANG, Zhisong [US/US]; (US) (For US Only).
SADJADI, S., M., Reza [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KANG, Sean, S.; (US).
HUANG, Zhisong; (US).
SADJADI, S., M., Reza; (US)
Agent: LEE, Michael; Beyer, Weaver & Thomas, LLP, P.O. Box 70250, Oakland, CA 94612-0250 (US)
Priority Data:
10/892,945 16.07.2004 US
Title (EN) LOW-K DIELECTRIC ETCH
(FR) GRAVURE DIELECTRIQUE A FAIBLE COEFFICIENT K
Abstract: front page image
(EN)A method for etching a dielectric layer below a photoresist mask is provided. A wafer with the dielectric layer disposed below a photoresist mask is provided in an etch chamber. An etch gas comprising CF4 and H2 is provided into the etch chamber wherein the CF4 has a flow rate and the H2 has a flow rate, wherein the flow rate of H2 is greater than the flow rate of CF4. A plasma is formed from the etch gas. Features are etched into the dielectric layer through the etch mask using the plasma formed from the etch gas.
(FR)L'invention concerne un procédé pour graver une couche diélectrique en dessous d'un masque de photorésine. Une plaquette comprenant la couche diélectrique disposée en dessous du masque de photorésine est placée dans une chambre de gravure. Un gaz de gravure comprenant CF4 et H2 est envoyé dans la chambre de gravure, le CF4 présentant un débit et le H2 présentant un autre débit supérieur au débit de CF4. Un plasma est formé à partir du gaz de gravure. Des caractéristiques sont gravées dans la couche diélectrique à travers le masque de gravure au moyen du plasma formé à partir du gaz de gravure.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)