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1. (WO2006019839) A METHOD AND APPARATUS FOR CONDITIONING A POLISHING PAD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.: WO/2006/019839 International Application No.: PCT/US2005/024890
Publication Date: 23.02.2006 International Filing Date: 15.07.2005
IPC:
B24B 37/04 (2006.01) ,B24B 53/007 (2006.01) ,B24B 53/12 (2006.01)
Applicants: WHISLER, Wade[US/US]; US (UsOnly)
LA BELLE, Adam[US/US]; US (UsOnly)
SKOCYPEC, Randy[US/US]; US (UsOnly)
INTEL CORPORATION[US/US]; 2200 Mission College Boulevard Santa Clara, California 95052, US (AllExceptUS)
Inventors: WHISLER, Wade; US
LA BELLE, Adam; US
SKOCYPEC, Randy; US
Agent: VINCENT, Lester J. ; BLAKELY SOKOLOFF TAYLOR & ZAFMAN 12400 Wilshire Boulevard 7th Floor Los Angeles, California 950025, US
Priority Data:
10/899,67826.07.2004US
Title (EN) A METHOD AND APPARATUS FOR CONDITIONING A POLISHING PAD
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE CONDITIONNEMENT D'UN PATIN DE POLISSAGE
Abstract: front page image
(EN) A method and apparatus for polishing a thin film on a semiconductor substrate is described. A polishing pad (20) is rotated and a wafer (18) to be polished is placed on the rotating polishing pad. The polishing pad (20) has grooves that channels slurry between the wafer and polishing pad (20) and rids excess material from the wafer (18), allowing an efficient polishing of the surface of the wafer. The polishing pad (20) smoothes out due to the polishing of the wafer (18) and must be conditioned to restore effectiveness. A conditioning assembly with a plurality of diamonds is provided. The diamonds (70) have predetermined angles that provide strength to the diamond (70). This allows for an optimal rotation speed and downward force in effective conditioning of the polishing pad, while reducing diamond (70) fracture rate.
(FR) L'invention porte sur un procédé et un appareil de polissage d'un film mince sur un substrat semi-conducteur. Un patin de polissage (20) est mis en rotation et une plaquette (18) à polir est disposée sur le patin de polissage en rotation. Le patin de polissage (20) possède des rainures canalisant le laitier entre la plaquette et le patin de polissage (20) et évacuant le matériau en surplus de la plaquette (18), permettant un polissage efficace de la surface de la plaquette. Le patin de polissage (20) s'adoucit par le polissage de la plaquette (18) et doit être conditionné pour rétablir une certaine efficacité. L'invention décrit un ensemble de conditionnement comprenant une pluralité de diamants. Les diamants (70) ont des angles prédéterminés qui confèrent une résistance au diamant (70). Ceci permet une vitesse de rotation et une force descendante optimales pour un conditionnement efficace du patin de polissage, tout en réduisant le taux de fracture des diamants (70).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Office (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)