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1. (WO2006019785) PROGRAMMABLE LOW NOISE AMPLIFIER AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/019785    International Application No.:    PCT/US2005/024800
Publication Date: 23.02.2006 International Filing Date: 13.07.2005
IPC:
H03F 3/45 (2006.01), H03F 3/04 (2006.01), H03F 1/14 (2006.01), H03G 3/00 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (For All Designated States Except US).
KOEN, Myron, J. [US/US]; (US) (For US Only).
VENKATARAMAN, Harish [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KOEN, Myron, J.; (US).
VENKATARAMAN, Harish; (US)
Agent: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED; FRANZ, Warren, L., Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, M/S 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Priority Data:
10/899,497 26.07.2004 US
Title (EN) PROGRAMMABLE LOW NOISE AMPLIFIER AND METHOD
(FR) AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT PROGRAMMABLE ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE
Abstract: front page image
(EN)A programmable gain low noise amplifier includes a tail current transistor (Q3) having a source coupled to a first reference voltage (VDD) and a drain coupled to a tail current conductor (18). A differential input embodiment has a plurality of pairs (Q4, Q5; Q7, Q8; Q10, Q11; Q13, Q 14) of differentially coupled input transistors. Each pair includes a first input transistor (Q4, Q7, Q 10, Q 13) having a gate coupled to a first input conductor (19A) and a drain coupled to a first output conductor (26A). Each pair also includes a second input transistor (Q5, Q8, Q11, Q14) having a gate coupled to a second input conductor (19B), a source coupled to a source of the first transistor, and a drain coupled to a second output conductor (26B). The sources of the first and second input transistors of some or all of the pairs are selectively coupled to the tail current conductor (18) by control signals (B1, B2, B3) applied to gates of switching transistors (Q6, Q9, Q12).
(FR)L'invention concerne un amplificateur à faible bruit et à gain programmable comprenant un transistor de courant résiduel(Q3) présentant une source couplée à une première tension de référence (VDD) et un drain couplé à un conducteur de courant résiduel (18). Un mode de réalisation à entrée différentielle présente une pluralité de paires (Q4, Q5; Q7, Q8; Q10, Q11; Q13, Q 14) de transistors d'entrée couplés de manière différentielle. Chaque paire comprend un premier transistor d'entrée (Q4, Q7, Q 10, Q 13) présentant une passerelle couplée à un premier conducteur d'entrée (19A) et un drain couplé à un premier conducteur de sortie (26A). Chaque paire comprend également un second transistor d'entrée (Q5, Q8, Q11, Q14) présentant une passerelle couplée à un second conducteur d'entrée (19b), une source couplée à une source du premier transistor, et un drain couplé à un second conducteur de sortie (26B). Les sources du premier et du second transistor d'entrée de certaines ou de toutes les paires sont couplées de manière sélective au transistor à courant résiduel (18) par des signaux de commande (B1, B2, B3) appliqués aux passerelles des transistors de commutation (Q6, Q9, Q12).
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)