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1. (WO2006019438) LOW-TEMPERATURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON-NITROGEN-CONTAINING FILMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/019438    International Application No.:    PCT/US2005/014218
Publication Date: 23.02.2006 International Filing Date: 26.04.2005
IPC:
C23C 16/452 (2006.01), C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/36 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01)
Applicants: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; TBS Broadcast Center, 3-6 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 107 (JP) (For All Designated States Except US).
TOKYO ELECTRON AMERICA, INC. [US/US]; 2400 Grove Boulevard, Austin, TX 78741-6500 (US) (JP only).
JOE, Raymond [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: JOE, Raymond; (US)
Agent: FREI, Donald, F.; WOOD, HERRON & EVANS L.L.P., 2700 Carew Tower, Cincinnati, OH 45202 (US)
Priority Data:
10/891,301 14.07.2004 US
Title (EN) LOW-TEMPERATURE PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF SILICON-NITROGEN-CONTAINING FILMS
(FR) DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR BASSE TEMPERATURE ACTIVE PAR PLASMA DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM ET DE L'AZOTE
Abstract: front page image
(EN)A method for low-temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition of a silicon-nitrogen-containing film on a substrate (40,125). The method includes providing a substrate (40, 125) in a process chamber (10, 110), exciting a reactant gas in a remote plasma source (94, 205), thereafter mixing the excited reactant gas with a silazane precursor gas, and depositing a silicon-nitrogen-containing film on the substrate (40, 125) from the excited gas mixture in a chemical vapor deposition process. In one embodiment of the invention, the reactant gas can contain a nitrogen-containing gas to deposit a SiCNH film. In another embodiment of the invention, the reactant gas can contain an oxygen-containing gas to deposit a SiCNOH film.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase vapeur basse température activé par plasma d'un film contenant du silicium et de l'azote sur un substrat (40, 125). Le procédé comporte les étapes consistant à: prévoir un substrat (40, 125) dans une chambre de traitement (10, 110); exciter un gaz réactif dans une source (94, 205) de plasma éloignée; mélanger ensuite le gaz réactif excité avec un gaz précurseur de silazane; et déposer sur le substrat (40, 125) à partir du mélange gazeux excité, à l'aide d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, un film contenant du silicium et de l'azote. Dans une forme de réalisation, le gaz réactif peut contenir un gaz azoté pour le dépôt d'un film SiCNH. Dans une autre forme de réalisation, le gaz réactif peut contenir un gaz renfermant de l'oxygène pour le dépôt d'un film SiCNOH.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)