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Pub. No.:    WO/2006/016626    International Application No.:    PCT/JP2005/014694
Publication Date: 16.02.2006 International Filing Date: 10.08.2005
Chapter 2 Demand Filed:    03.02.2006    
C01B 33/03 (2006.01)
Applicants: TOKUYAMA CORPORATION [JP/JP]; 1-1, Mikage-cho, Shunan-shi Yamaguchi 7458648 (JP) (For All Designated States Except US).
NAKASHIMA, Junichirou [JP/JP]; (JP) (For US Only).
WAKAMATSU, Satoru [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SUGIMURA, Shigeki [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NAKASHIMA, Junichirou; (JP).
WAKAMATSU, Satoru; (JP).
SUGIMURA, Shigeki; (JP)
Agent: SUZUKI, Shunichiro; S.SUZUKI & ASSOCIATES Gotanda Yamazaki Bldg. 6F 13-6, Nishigotanda 7-chome Shinagawa-ku, Tokyo 141-0031 (JP)
Priority Data:
2004-234351 11.08.2004 JP
(JA) シリコン製造装置
Abstract: front page image
(EN)A silicon manufacturing apparatus capable of being stably operated over a long period by suppressing the deposition of silicon at the bottom end part of a reaction tube and those portions other than the inner surface of the reaction tube, wherein a reactant gases are led into the inside wall of the heated reaction tube to deposit silicon and the deposited silicon is taken out from the bottom end opening of the reaction tube. A first gas feed port (31) formed of an annular slit and feeding a seal gas and/or an etching gas toward the bottom part is formed on the outer peripheral side of the reaction tube (11) near the bottom part, and a second gas feed port (33) is formed at a position apart from the first gas feed port (31). Thus, the seal gas and/or the etching gas can be fed from the second gas feed port (33) toward the wall surface of a member in which the first gas feed port (31) is formed on the outer periphery of the first gas feed port (31).
(FR)Cette invention concerne un appareil de fabrication de silicium. Ledit appareil peut fonctionner de façon stable pendant une longue période grâce à la suppression du dépôt de silicium dans la partie de l’extrémité inférieure d’un tube de réaction et dans les portions autres que la surface intérieure du tube de réaction. Ledit appareil consiste à conduire des gaz réactifs dans la paroi intérieure du tube de réaction chauffé pour y déposer le silicium, puis à retirer le silicium déposé de l’ouverture de l’extrémité inférieure du tube de réaction. Un premier orifice d’alimentation en gaz (31) formé d’une fente annulaire et amenant un gaz d’étanchéité et/ou un gaz de gravure vers la partie inférieure est formé sur le côté périphérique externe du tube de réaction (11) près de la partie inférieure, et un second orifice d’alimentation en gaz (33) est formé à une position distincte de celle du premier orifice d’alimentation en gaz (31). Ainsi, le gaz d’étanchéité et/ou le gaz de gravure peuvent être amenés par le second orifice d’alimentation en gaz (33) vers la surface de la paroi d’un élément dans lequel le premier orifice d’alimentation en gaz (31) est formé sur la périphérie externe du premier orifice d’alimentation en gaz (31).
(JA) 加熱された反応管の内壁に反応ガスを導入してシリコンを析出させ、該反応管の下端部開口から析出シリコンを取り出すシリコン製造装置において、反応管の下端部および、その他の反応管内面以外の部分へのシリコン析出を抑制し、これにより長時間に渡る安定的な運転が可能なシリコン製造装置を提供する。  反応管11の下端部近傍の外周側に、環状のスリットからなり、該下端部に向かってシールガスおよび/またはエッチングガスを供給する第1ガス供給口31を設けるとともに、第1ガス供給口31から離間した位置に第2ガス供給口33を設けて、第1ガス供給口31を形成する部材における第1ガス供給口31の外側周囲の壁面に向けて第2ガス供給口33からシールガスおよび/またはエッチングガスを供給するようにした。                                                                                 
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)