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Pub. No.:    WO/2006/016544    International Application No.:    PCT/JP2005/014500
Publication Date: 16.02.2006 International Filing Date: 08.08.2005
H03H 9/72 (2006.01), H03H 9/145 (2006.01), H03H 9/25 (2006.01)
Applicants: MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP) (For All Designated States Except US).
OMOTE, Ryoichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: OMOTE, Ryoichi; (JP)
Agent: MIYAZAKI, Chikara; 6F, Daido Seimei Bldg. 5-4, Tanimachi 1-chome, Chuo-ku Osaka-shi, Osaka 5400012 (JP)
Priority Data:
2004-234547 11.08.2004 JP
(JA) デュプレクサ及び通信装置
Abstract: front page image
(EN)A duplexer that is not only excellent in withstand electric power characteristic but exhibits sufficient magnitudes in out-of-band attenuation amount and in isolation characteristic. A duplexer (1) comprising transmitting and receiving side band filters (1A,1B) in which a plurality of surface acoustic wave resonators are connected to constitute a ladder circuit, wherein each of the surface acoustic wave resonators has a substrate of 47 to 58 degree rotated Y-cut X-propagating LiNbO3 and an IDT electrode (12) formed thereon, and has a primary electrode layer (12a) of Ti epitaxially grown on the LiNbO3 substrate and an electrode layer (12b) of Al epitaxially grown on the primary Ti electrode layer (12a), and wherein a surface (111) of the Al electrode layer is parallel with a surface (001 or 100) of the primary Ti electrode layer and with a surface (001) of the LiNbO3 substrate.
(FR)Duplexeur qui non seulement a une excellente caractéristique de résistance à la puissance électrique mais montre également des magnitudes suffisantes dans le taux d’atténuation hors-bande et dans la caractéristique d’isolation. Duplexeur (1) comprenant des filtres de bande latérale de transmission et de réception (1A,1B) dans lequel une pluralité de résonateurs à ondes acoustiques de surface sont reliés pour constituer un circuit en échelle, ledit circuit comprend des résonateurs à ondes acoustiques de surface qui ont chacun un substrat de 47 à 58 degrés à coupe Y rotatif et à propagation vers X LiNbO3 et une électrode IDT (12) formée sur celui-ci et a une couche électrode principale (12a) de Ti obtenue par croissance épitaxiale sur le substrat LiNbO3 et une couche électrode (12b) d’Al obtenue par croissance épitaxiale sur la couche électrode principale de Ti (12a), ledit duplexeur ayant une surface (111) de la couche électrode d’Al parallèle à une surface (001 ou 100) de la couche électrode principale de Ti et à une surface (001) du substrat LiNbO3.
(JA) 耐電力性に優れているだけでなく、帯域外減衰量及びアイソレーション特性が十分な大きさとされ得るデュプレクサを提供する。  複数の弾性表面波共振子をラダー型回路を構成するように接続してなる送信側及び受信側帯域フィルタ1A,1Bを備え、各弾性表面波共振子が、47°~58°の回転YカットのX伝搬のLiNbO基板と、LiNbO3基板上に形成されたIDT電極12とを有し、LiNbO基板上にエピタキシャル成長されたTi下地電極層を12aと、Ti下地電極層12a上にエピタキシャル成長されたAl電極層12bとを有し、Al電極層の(111)面と、Ti下地電極層の(001)面もしくは(100)面と、LiNbO基板の(001)面とが平行とされているデュプレクサ1。
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)