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1. (WO2006015113) MULTIPLE-STEP RESET PROCESS AND CIRCUIT FOR RESETTING A VOLTAGE STORED ON A PHOTODIODE OF AN IMAGING DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/015113    International Application No.:    PCT/US2005/026772
Publication Date: 09.02.2006 International Filing Date: 27.07.2005
IPC:
H04N 5/335 (2006.01), H04N 3/15 (2006.01)
Applicants: PAIN, Bedabrata [IN/US]; (US).
CUNNINGHAM, Thomas, J. [US/US]; (US).
HANCOCK, Bruce, R. [US/US]; (US)
Inventors: PAIN, Bedabrata; (US).
CUNNINGHAM, Thomas, J.; (US).
HANCOCK, Bruce, R.; (US)
Agent: STEINFL, Alessandro; Ladas & Parry LLP, 5670 Wilshire Boulevard, Suite 2100, Los Angeles, CA 90036-5679 (US)
Priority Data:
60/593,029 29.07.2004 US
Title (EN) MULTIPLE-STEP RESET PROCESS AND CIRCUIT FOR RESETTING A VOLTAGE STORED ON A PHOTODIODE OF AN IMAGING DEVICE
(FR) PROCEDE DE REMISE A ZERO EN PLUSIEURS ETAPES ET CIRCUIT POUR LA REMISE A ZERO D'UNE TENSION STOCKEE SUR UNE PHOTODIODE D'UN DISPOSITIF D'IMAGERIE
Abstract: front page image
(EN)A multiple-step reset process and circuit for resetting a voltage stored on a photodiode of an imaging device. A first stage of the reset occurs while a source and a drain of a pixel source-follower transistor are held at ground potential and the photodiode and a gate of the pixel source-follower transistor are charged to an initial reset voltage having potential less that of a supply voltage. A second stage of the reset occurs after the initial reset voltage is stored on the photodiode and the gate of the pixel source-follower transistor and the source and drain voltages of the pixel source-follower transistor are released from ground potential thereby allowing the source and drain voltages of the pixel source-follower transistor to assume ordinary values above ground potential and resulting in a capacitive feed-through effect that increases the voltage on the photodiode to a value greater than the initial reset voltage.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de remise à zéro en plusieurs étapes et un circuit pour la remise à zéro d'une tension stockée sur une photodiode d'un dispositif d'imagerie. Une première étape de la remise à zéro se produit lors du maintien d'une source et d'un drain d'un transistor à source chargée au potentiel à la terre et la charge de la photodiode et d'une grille de transistor à source chargée à une tension initiale de remise à zéro présentant un potentiel inférieur à celui d'une tension d'alimentation. Une deuxième étape de la remise à zéro se produit suite au stockage de la tension de remise à zéro initiale sur la photodiode et la grille de pixel à source chargée et la libération des tensions de source et de drain du transistor à source chargée du pixel du potentiel à la terre permettant ainsi aux tensions de source et de drain du transistor à source chargée de pixel de prendre des valeurs ordinaires au-dessus du potentiel à la terre et entraînant un effet de traversée capacitive qui accroît la tension sur la photodiode à une valeur supérieure à la tension de remise à zéro initiale.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)