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1. (WO2006014632) IMPROVED MAGNET FOR SCANNING ION BEAMS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/014632    International Application No.:    PCT/US2005/025558
Publication Date: 09.02.2006 International Filing Date: 19.07.2005
IPC:
H01J 37/147 (2006.01), H01F 3/04 (2006.01), H05H 7/04 (2006.01), H01F 41/02 (2006.01), H01J 37/317 (2006.01)
Applicants: AXCELIS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 108 Cherry Hill Drive, Beverly, MA 01915 (US) (For All Designated States Except US).
VANDERBERG, Bo [SE/US]; (US) (For US Only).
WENZEL, Kevin [US/US]; (US) (For US Only).
RATHMELL, Robert [US/US]; (US) (For US Only).
FERRARA, Joseph [US/US]; (US) (For US Only).
SABO, David [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: VANDERBERG, Bo; (US).
WENZEL, Kevin; (US).
RATHMELL, Robert; (US).
FERRARA, Joseph; (US).
SABO, David; (US)
Priority Data:
10/896,821 22.07.2004 US
Title (EN) IMPROVED MAGNET FOR SCANNING ION BEAMS
(FR) AIMANT PERFECTIONNE POUR FAISCEAUX IONIQUES DE BALAYAGE
Abstract: front page image
(EN)An ion beam implanter includes an ion beam source for generating an ion beam moving along a beam line and a vacuum or implantation chamber wherein a workpiece, such as a silicon wafer is positioned to intersect the ion beam for ion implantation of a surface of the workpiece by the ion beam. A scanning magnet used to control a side to side scanning of the ion beam so that an entire implantation surface of the workpiece can be processed. The core of the scanning magnet comprises an amorphous metal material.
(FR)L'invention concerne un implanteur de faisceau ionique comprenant une source d'ions destinée à générer un faiceau ionique se déplaçant sur une ligne de faisceau et une chambre à vide ou d'implantation dans laquelle une pièce, par exemple une tranche de silicium, est positionnée de façon à croiser le faisceau ionique afin de permettre l'implantation ionique d'une surface de la pièce par le faisceau ionique. Un aimant de balayage est, de préférence, utilisé pour commander le balayage d'un côté à l'autre du faisceau ionique de manière à traiter toute la surface d'implantation de la pièce.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)