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1. (WO2006014465) POWER AMPLIFIER UTILIZING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE CIRCUIT TOPOLOGY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/014465    International Application No.:    PCT/US2005/023905
Publication Date: 09.02.2006 International Filing Date: 06.07.2005
Chapter 2 Demand Filed:    06.02.2006    
IPC:
H03F 1/22 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01)
Applicants: AMALFI SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 475 Alberto Way, Suite 200, Los Gatos, CA 95032 (US) (For All Designated States Except US).
BURNS, Lawrence, M. [US/US]; (US) (For US Only).
WOO, Chong, L. [US/US]; (US) (For US Only).
SZETO, Clement [US/US]; (US) (For US Only)
Inventors: BURNS, Lawrence, M.; (US).
WOO, Chong, L.; (US).
SZETO, Clement; (US)
Agent: MCHUGH, Terry; Law Offices of Terry McHugh, PMB 560, 101 First Street, Los Altos, CA 94022 (US)
Priority Data:
10/888,478 08.07.2004 US
Title (EN) POWER AMPLIFIER UTILIZING HIGH BREAKDOWN VOLTAGE CIRCUIT TOPOLOGY
(FR) AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE UTILISANT LA TOPOLOGIE DE CIRCUIT DE TENSION A SEUIL DE RUPTURE ELEVE
Abstract: front page image
(EN)A power amplifier (10 and 58) utilizes cascode arrangements (34 and 36) to achieve target performance levels for a power amplifier, such as the type used in wireless communication devices. A negative resistance circuit is provided for the cascode arrangement such that high gain, or oscillation, is promoted during operation of the power amplifier. In one embodiment, the negative resistance circuit includes cross-coupling transistors (30 and 32). Various features are provided in order to reduce the susceptibility of the power amplifier to voltage breakdown while maintaining good performance.
(FR)L'invention concerne un amplificateur de puissance (10 et 58) faisant appel à des dispositifs en cascade (34 et 36) pour atteindre des niveaux de performance cibles pour un amplificateur de puissance, comme ceux du type utilisés dans des dispositifs de communication sans fil. L'invention concerne un circuit à résistance négative pour la configuration en cascade de sorte qu'un gain élevé ou une oscillation soit favorisé(e) pendant le fonctionnement de l'amplificateur de puissance. Dans un mode de réalisation, le circuit à résistance négative comprend des transistors (30 et 32) à couplage croisé. Différentes caractéristiques sont prévues pour réduire la susceptibilité de l'amplificateur de puissance à la rupture de tension, tout en maintenant un bon rendement.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)