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1. (WO2006014418) ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RELIABLE DOWN BONDS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2006/014418    International Application No.:    PCT/US2005/023789
Publication Date: 09.02.2006 International Filing Date: 06.07.2005
IPC:
H01L 23/495 (2006.01)
Applicants: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (For All Designated States Except US).
KODURI, Sreenivasan, K. [IN/US]; (US) (For US Only)
Inventors: KODURI, Sreenivasan, K.; (US)
Agent: FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, P.O. Box 655474, M/S 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Priority Data:
10/886,352 06.07.2004 US
Title (EN) ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DEVICE WITH RELIABLE DOWN BONDS
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ENCAPSULE DANS DU PLASTIQUE POURVU DE LIAISONS DESCENDANTES FIABLES
Abstract: front page image
(EN)Plastic encapsulated semiconductor devices (50) have elevated topographical features (540) formed on the chip mount pad (54) to provide attachment sites for reliable down bonds (53) to control the extent of delamination at the interface of the encapsulating resin (57) with the mount pad (54), which may serve as a ground plane. The cost effective invention is applicable to a variety of semiconductor packages, including both leaded and non-leaded types for high frequency circuits.
(FR)La présente invention concerne des dispositifs semi-conducteurs encapsulés dans du plastique (50), lesquels présentent des caractéristiques topographiques élevées (540) formées sur la pastille de montage de la puce (54) afin de fournir des sites de fixation pour des liaisons descendantes fiables (53) afin de réguler l'étendue du délaminage à l'interface de la résine d'encapsulation (57) avec la pastille de montage (54), laquelle peut servir de retour de masse. Le procédé économique décrit dans cette invention peut s'appliquer à une large gamme de boîtiers semi-conducteurs, y compris les boîtiers de types à pattes et sans patte pour des circuits haute fréquence.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)